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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119010548B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411096683.5，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法是由秦海鸿;陈俊钰;朱梓悦;康源;杨瑞权;卜飞飞;龚春英设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有负压关断功能的SiCMOSFET桥臂串扰抑制方法，属于电力电子技术与电工技术领域。所述方法在SiCMOSFET的栅源极间并联带泄放功能的辅助三极管电路，通过在SiCMOSFET的关断瞬态来临之前抬升分压电容上的驱动负压至约为0V，缓解负压关断对SiCMOSFET带来的负向串扰恶化的问题。同时，利用分压电容为SiCMOSFET提供驱动负压而无需外加隔离的负压源，并通过三极管泄放电路泄放分压电容上的电压，让负向串扰电压尖峰在零压而不是负压的基础上开始下降，并使用辅助MOS管串联辅助电容，在主动功率管正常通断时，将辅助电容从电路的栅源极间断开，一定程度上缓解栅源极间等效电容变大带来的开通时间增长、开关损耗增大等问题，更好地抑制桥臂串扰问题。

本发明授权一种具有负压关断功能的SiC MOSFET桥臂串扰抑制方法在权利要求书中公布了：1.一种具有负压关断功能的SiCMOSFET桥臂串扰抑制方法，其特征在于，所述方法采用的上管辅助电路包括考虑寄生参数的SiCMOSFET负压关断电路、SiCMOSFET三极管负压泄放电路、SiCMOSFET串扰电流分流电路；上管SH的栅极通过栅极电阻RG_H与驱动芯片输出端相连，同时与分压电路相连，所述分压电路由C1H、R1H、DH支路与C2H、R2H、S3H支路构成，其中C1H、R1H、DH支路的一端连接至驱动芯片输出端，另一端连接至上管SH的栅极，二极管DH的方向与驱动芯片流向栅极的驱动电流方向一致；C1H与R1H并联后连接在二极管DH的阴极与SH的栅极之间，C2H、R2H、S3H支路构成串扰电流分流电路，S3H为辅助功率管，其源极与上管SH栅极相连，S3H漏极通过R2H连接上管SH的源极，栅极受控制信号驱动，C2H与R2H并联；SiCMOSFET三极管负压泄放电路由三极管TH、下拉电阻R3H、R4H组成，三极管TH的发射极与DH阴极相连、集电极通过电阻R4H与上管SH源极相连、基极通过下拉电阻R3H与上管SH源极相连；当驱动芯片提供正压时，二极管的导通压降导致三极管的基极电压大于发射极电压，三极管处于反向截止的状态，下管开通的同时，将上管的驱动电压降为零，此时的基极电压远小于发射极电压，三极管开始正向导通；下管的辅助电路与上管的辅助电路结构及工作原理相同； 所述方法利用分压电路为主功率管提供驱动负压，而无需外加隔离的负压源，并通过在功率管的栅源极间并联带泄放功能的辅助三极管电路，在负向串扰来临之前抬升分压电容上的驱动负压至约为0V，减小因负压关断对关断时期造成的影响，同时通过使用辅助MOS管串联辅助电容，在主功率管进行开通和关断时，将辅助电容从电路的栅源极间断开，缓解栅源极间等效电容变大带来的开通时间增长、开关损耗增大问题，更好地抑制桥臂串扰问题。

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