长鑫存储技术有限公司庄凌艺获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310553961.4，技术领域涉及：H10P10/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由庄凌艺;季宏凯设计研发完成，并于2023-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面形成第一键合层；在所述第一表面的一侧，向所述衬底中注入氢离子，以在所述衬底中形成含氢的剥离层；提供载体，并在所述载体的一侧的表面形成第二键合层；将所述第一键合层和所述第二键合层熔融键合；在所述衬底的所述第二表面形成半导体器件；对所述剥离层处理，使所述剥离层自所述衬底分离。本公开实施例的制备方法，能够提高半导体器件的布局密度，提高半导体器件的电学性能，同时避免在解键合时损伤半导体器件，提高半导体结构的良率。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面； 在所述第一表面形成第一键合层，所述第一键合层为具有正四面体结构的氧化硅晶体； 在所述第一表面的一侧，向所述衬底中注入氢离子，以在所述衬底中形成含氢的剥离层； 提供载体，并在所述载体的一侧的表面形成第二键合层； 将所述第一键合层和所述第二键合层熔融键合； 在所述衬底的所述第二表面形成半导体器件； 对所述剥离层处理，使所述剥离层自所述衬底分离，包括：对形成有所述半导体器件的所述衬底以及所述载体进行热处理，使所述剥离层自所述衬底分离，以使所述载体与所述衬底分离，对形成有所述半导体器件的所述衬底以及所述载体进行热处理的温度为300℃～450℃。
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