长鑫存储技术有限公司吕开敏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310505927.X，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权封装结构及其制造方法是由吕开敏设计研发完成，并于2023-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括：芯片堆叠体，包括第一子堆叠体和第二子堆叠体；所述第一子堆叠体包括背面对背面设置的两层芯片，且所述第一子堆叠体的两层所述芯片之间具有第一填充层；所述第二子堆叠体包括正面对正面或正面对背面设置的两层芯片；第二子堆叠体的两层所述芯片之间具有第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层采用不同的材料。本公开实施例至少可以提高封装结构的性能。
本发明授权封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 芯片堆叠体，包括第一子堆叠体和第二子堆叠体； 所述第一子堆叠体包括背面对背面设置的两层芯片，且所述第一子堆叠体的两层所述芯片的背面之间具有第一填充层； 所述第二子堆叠体包括正面对正面设置的两层芯片；所述第二子堆叠体的两层所述芯片的正面之间具有第二填充层，所述第一填充层和所述第二填充层采用不同的材料，所述第二填充层为贴附于所述芯片正面的非导电膜层； 基板，所述芯片堆叠体的设置于所述基板上，所述芯片堆叠体最底层的所述芯片的背面朝向所述基板设置，最底层的所述芯片与所述基板之间具有所述第一填充层； 封装层，至少覆盖所述芯片堆叠体的侧壁，所述封装层的材料与所述第一填充层的材料相同，所述封装层与所述第一填充层采用同一填充工艺形成。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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