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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利四氧化三钴超亲水/超疏水阵列集雾薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118904688B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410951271.9，技术领域涉及：B05D7/04；该发明授权四氧化三钴超亲水/超疏水阵列集雾薄膜及其制备方法是由段宗范;李冰洁;郭静;成罗娜;王利成;石岩;张瑞阳设计研发完成，并于2024-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本四氧化三钴超亲水/超疏水阵列集雾薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜及其制备方法，具体过程为：步骤1，采用溶胶‑凝胶法结合DUV辅助低温热处理技术在柔性塑料基底上制备四氧化三钴薄膜；步骤2，采用水热法在四氧化三钴薄膜表面沉积四氧化三钴纳米团簇，得到表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜；步骤3，利用分子自组装技术对表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜进行低表面能修饰，得到超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜；步骤4，将掩模板置于超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜表面，并利用深紫外光辐照，得到四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜。本发明集雾薄膜能够实现高效的雾气捕获与集雾循环。

本发明授权四氧化三钴超亲水/超疏水阵列集雾薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施： 步骤1，采用溶胶-凝胶法结合DUV辅助低温热处理技术在柔性塑料基底上制备四氧化三钴薄膜； 步骤1的具体过程为： 步骤1.1，将四水合乙酸钴加入无水甲醇中溶解，密封后在室温下磁力搅拌，再加入乙酰丙酮，得到紫色澄清溶液，将紫色澄清溶液密封后室温搅拌、静置陈化，得到四氧化三钴溶胶； 步骤1.2，将清洁的柔性塑料基底浸入步骤1.1得到的四氧化三钴溶胶中，采用浸渍-提拉法在柔性塑料基底表面制备光滑平整的溶胶-凝胶薄膜； 步骤1.3，将步骤1.2得到的溶胶-凝胶薄膜放在烘箱中进行干燥，再对干燥后的溶胶-凝胶薄膜进行DUV辅助低温热处理，得到四氧化三钴薄膜； 步骤2，采用水热法在四氧化三钴薄膜表面沉积四氧化三钴纳米团簇，得到表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜； 步骤2的具体过程为： 步骤2.1，以六水合氯化钴为钴源，尿素为碱源，充分溶解于去离子水中，得到四氧化三钴水热反应液； 步骤2.2，将步骤1得到的四氧化三钴薄膜表面朝下倾斜45°放入聚四氟乙烯内衬中，并将步骤2.1得到的四氧化三钴反应液倒入聚四氟乙烯内衬中，将聚四氟乙烯内衬放入水热釜中反应，随炉冷却至室温，反应结束后取出样品； 步骤2.3，用去离子水和无水乙醇交替洗涤样品表面附着的多余四氧化三钴纳米粉体，将洗涤后的样品进行干燥，得到表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜； 步骤3，利用分子自组装技术对表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜进行低表面能修饰，得到超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜； 步骤3的具体过程为：将步骤2得到的表面具有纳米团簇结构的四氧化三钴薄膜静置于低表面能修饰剂溶液中浸泡修饰，取出后用无水乙醇洗涤除去表面残留的修饰剂，干燥后得到超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜； 低表面能修饰剂为十八烷基三甲基氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟癸基三甲氧基硅烷、十六烷基三甲基氧基硅烷、三-1H,1H-十五氟辛氧基-叔丁氧基硅中的一种； 步骤4，将掩模板置于超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜表面，并利用深紫外光辐照，得到四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜； 步骤4的具体过程为：将具有特定图案的掩模板覆盖在步骤3得到的超疏水四氧化三钴纳米团簇薄膜表面，再在室温下用深紫外光照射未被掩盖的区域，得到四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜； 将得到的四氧化三钴超亲水超疏水阵列集雾薄膜在外力作用下使其表面呈弯曲状态。

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