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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第十三研究所申请的专利垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411012293.5，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法是由周闯杰;何泽召;蔚翠;刘庆彬;马孟宇;余浩;李鹏雨;冯志红设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，包括：在金刚石衬底上外延高掺杂浓度p型金刚石外延层；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的正面生长轻掺杂p型金刚石外延层，去除高掺杂浓度p型金刚石外延层背部的金刚石衬底；在轻掺杂p型金刚石外延层上刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，阴极区在圆柱的顶部；在轻掺杂p型金刚石外延层上形成N型掺杂；在高掺杂浓度p型金刚石外延层的背面淀积阳极金属；在光刻阴极区形成氧化铝，淀积阴极金属；在阴极金属上制作阴极电极。本发明制备的肖特基二极管，降低了正向导通电阻，提升了反向击穿电压，从而提升了器件的功率品质因子。

本发明授权垂直结构金刚石场效应肖特基二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构金刚石场效应肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 步骤一，在金刚石衬底1上外延一层高掺杂浓度p型金刚石外延层2； 步骤二，在所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2的正面生长一层或多层轻掺杂p型金刚石外延层3，并去除所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2背部的金刚石衬底1； 步骤三，在所述轻掺杂p型金刚石外延层3上沉积介质作为掩模牺牲层4，刻蚀出窗口，使用干法刻蚀技术，刻蚀出圆柱形阴极区和场效应控制区，其中阴极区在圆柱的顶部，圆柱的侧壁为场效应控制区； 步骤四，在所述轻掺杂p型金刚石外延层3上的N型注入区5，采用离子注入技术注入一层氮、磷、硫中一种或多种杂质，形成N型掺杂；然后去除圆柱顶部的掩模牺牲层4，高温退火实现杂质激活； 步骤五，在所述高掺杂浓度p型金刚石外延层2的背面淀积阳极金属6，经退火形成欧姆接触，用于制备阳极电极； 步骤六，利用原子层沉积技术在所述场效应控制区淀积场效应区介质层7； 步骤七，光刻露出所述阴极区形成阴极窗口； 步骤八，再次光刻所述阴极区，并在所述阴极区形成氧化铝8，选取与金刚石形成肖特基接触的金属，淀积阴极金属9； 步骤九，在阴极金属9上淀积钝化介质层10； 步骤十，在钝化介质层10上光刻出电极图形，刻蚀形成阴极电极。

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