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龙图腾网获悉中建材玻璃新材料研究院集团有限公司;玻璃新材料创新中心(安徽)有限公司申请的专利一种钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118460976B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410473234.1，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置及制备方法是由姚婷婷;彭寿;郝志云;王东;李刚;杨登峰;彭塞奥设计研发完成，并于2024-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置及制备方法，涉及太阳能电池制造技术领域，包括第一腔室、第二腔室、第三腔室、第四腔室、第五腔室、第六腔室、第七腔室和第八腔室，通过提供的立式旋转磁控溅射镀膜中试线，采用全流程的磁控溅射制备方法制备全无机钙钛矿电池，也可为有机钙钛矿电池、无机有机杂化钙钛矿电池提供服务，通过设计一种全新的等离子体腔室和共溅射镀膜腔室布局，以及配套的传输系统和电源系统，可以实现连续的磁控溅射镀膜过程，大大简化了制备过程，降低了制备成本，有效减少场地使用面积，提高了生产效率，简化镀膜生产线的设备复杂度。

本发明授权一种钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钙钛矿太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：将位于第一样品架1上的待处理的电玻璃基板传输至第一腔室内，开启射频离子源对基板表面杂质进行清洗； 步骤二：将清洗后的导电玻璃基板通过阀门输送至第二腔室内，进行溅射镀膜，在镀膜前，先将腔室抽真空至一定的本底真空度，然后设定T1和T2的射频电源功率，并安装相应的靶材，通过调整靶材阴极与中试线之间的夹角，通入溅射气体和反应气体，进行共溅射，最后，关闭电源并将腔室加热至一定温度，保持一段时间，以制备得到空穴传输层，此处，空穴传输层为NiOx或MoO3薄膜，其中掺杂有微量的V、Co、Fe或Cu元素； 步骤三：将制备好的空穴传输层传输至第三腔室内，进行共溅射镀膜，在镀膜前先将腔室抽真空，然后设定T3和T4的射频电源功率，并安装相应的靶材，通过调整靶材阴极与中试线之间的夹角，通入溅射气体和反应气体进行共溅射，制备得到钙钛矿吸收层，随后，在溅射电源关闭后，开启原位分段加热，先在低温50～100℃，加热5～10分钟，后在100～150℃，加热5～15分钟，此处，钙钛矿吸收层为Cs、Sn、Rb、Pb、I、Br和Cl之间的组合，其中掺杂有微量的Sn或K元素； 步骤四：将制备好的钙钛矿吸收层传输至第四腔室内，通过样品架磁旋转装置6进行旋转调整后，将基板传输至第五腔室内； 步骤五：将制备好的钙钛矿吸收层传输至第五腔室内，在第五腔室内对基板进行共溅射镀膜，先抽真空到一定的本底真空度，然后设置射频电源功率，调整靶材的位置后开始共溅射，使用溅射气体和反应气体，通过共溅射方法制备作为电子传输层，此处，电子传输层为TiO2、ZnO、SnO2或WOX，其中掺杂微量的Ti、Zn、Sn、Al或W元素； 步骤六：将制备好的电子传输层传输至第六腔室内，进行溅射镀膜制备缓冲阻挡层，此处，缓冲阻挡层为SnO2：In2O3薄膜，其中掺杂有In或Zn元素； 步骤七：将制备好的SnO2：In2O3薄膜传输至第七腔室内，进行溅射镀膜，制备合金薄膜作为顶层电极，制备合金薄膜的具体方式为： 顶层电极为Ag、Au、Cu和Al的单一或组合而成的Ag薄膜、AgCu合金薄膜或AuCu合金薄膜； 制备AgCu合金薄膜的具体方式为：将SnO2：In2O3薄膜转移到第七腔室，设置射频电源功率为50W，使用Ag：Cu＝98：2合金靶材进行溅射，制备AgCu合金薄膜； 步骤八：将制备好的AgCu合金薄膜传输至第八腔室内，完成钙钛矿太阳能电池的制备； 用于执行该方法的钙钛矿太阳能电池专用磁控溅射装置，包括腔室主体，所述腔室被依次设置的多个阀门7分割为第一腔室、第二腔室、第三腔室、第四腔室、第五腔室、第六腔室、第七腔室和第八腔室； 所述第一腔室的外侧设置有第一样品架1，所述第八腔室的外侧设有第二进料架8； 所述第一腔室内设置有一个射频离子源，所述第二腔室和第三腔室内均设置有两个射频电源，所述第三腔室内还设置有一个电子回旋共振源，所述第四腔室内设有样品架磁旋转装置6，所述第五腔室内设有两个射频电源和一个等离子体源，所述第六腔室内设有一个平面靶、一个射频电源和一个离子源，所述第七腔室内设有一个平面靶和一个射频电源。

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