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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117986039B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410035174.5，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层及其制备方法是由叶信立;徐剑青;谌怡杰;张俊雄;马小民;毛帮笑;郑凯设计研发完成，并于2024-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层，由SiC纳米线、BN壳层、Si3N4陶瓷基体构成，所述的SiC纳米线和BN壳层通过化学气相渗透工艺得到，两者形成核壳结构，得到SiC@BN核壳纳米线，避免SiC纳米线氧化的同时改善SiC纳米线的介电常数，且SiC@BN核壳纳米线呈三维周期阵列排布，Si3N4陶瓷基体通过化学气相渗透工艺制得，Si3N4陶瓷基体在SiC@BN核壳纳米线之间的孔隙均匀填充。本发明通过宏微观多尺度结构设计，在微观尺度引入晶格畸变、堆垛层错及界面缺陷，促进入射电磁波的吸收衰减损耗，在宏观尺度进行调控，引入表面电场耦合效应及多重散射损耗机制，实现有效吸收频带的拓宽，协同提升电磁波吸收特性。

本发明授权一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种SiC@BN核壳纳米线周期阵列增强Si3N4高温吸波陶瓷涂层，由SiC纳米线、BN壳层、Si3N4陶瓷基体构成，其特征在于所述的SiC纳米线和BN壳层通过化学气相渗透工艺得到，两者形成核壳结构，得到SiC@BN核壳纳米线，SiC纳米线的直径为1-2μm，BN壳层的厚度为300-400nm，BN壳层均匀分布在SiC纳米线表面，避免SiC纳米线氧化的同时改善SiC纳米线的介电常数，使得电磁波的透过率提高50-70％；所述的SiC@BN核壳纳米线呈三维周期阵列排布，三维周期阵列的周期单元为圆形、方形、三角形中的一种，周期单元尺寸为6-10mm，周期单元之间的最大间距为1-2mm，周期单位内的SiC@BN核壳纳米线密排生长且互不搭接，三维周期阵列的周期高度为200-400μm；所述的Si3N4陶瓷基体通过化学气相渗透工艺制得，Si3N4陶瓷基体在SiC@BN核壳纳米线之间的孔隙均匀填充，气孔率为10-20％，Si3N4陶瓷基体的厚度与三维周期阵列的周期高度保持一致。

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