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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117920547B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410040859.9，技术领域涉及：B05D1/02；该发明授权一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法是由白常宁;张俊彦;罗春霄;张兴凯设计研发完成，并于2024-01-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法，通过等离子体原位解离二维块体材料并同时利用磁控溅射法将铜粒子沉积到解离减薄后的二维块体材料表面形成负载铜粒子的二维纳米片，在负载铜粒子的二维纳米片表面结合柔性聚合物，最后将其作为喷涂材料喷涂在基体表面获得超滑薄膜，此种超滑薄膜基于在摩擦界面构筑铜金属二维纳米材料异质配副，实现低粘附力；同时摩擦力诱导铜金属粒子聚集的晶簇形成自迁移行为，通过聚合物扩散通道持续为界面提供该异质配副，保障了稳定的超滑状态并延长了磨损寿命；克服了传统化学处理和润滑涂层的局限，易实现大面积工业化制备，有望成为延长运动部件寿命重要手段之一。

本发明授权一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法在权利要求书中公布了：1.一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法，其特征在于，所述构筑方法包括以下步骤： 步骤S1：等离子体轰击解离减薄二维纳米片 二维纳米片装入反应器中，抽真空；采用脉冲离子源进行等离子体轰击促使二维纳米片解离减薄； 步骤S2：以溅射铜靶制备负载铜粒子的二维纳米片 将步骤S1中得到解离减薄后二维纳米片的反应器中通入气源，以溅射铜靶制备负载铜粒子的二维纳米片； 步骤S3：负载铜粒子的二维纳米片与柔性聚合物结合 将柔性聚合物与去离子水混合均匀，得到柔性聚合物悬浊液；将步骤S3中得到的负载铜粒子的二维纳米片缓慢加入柔性聚合物悬浊液，将柔性聚合物结合到负载铜粒子的二维纳米片表面，得到喷涂液； 步骤S4：喷涂法构筑二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜 基板预处理后，采用步骤S3中得到的喷涂液，利用喷涂法在预处理后的基板表面构筑二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜； 所述步骤S1中二维纳米片包括石墨烯，六方氮化硼，MXene中的一种或者多种；所述步骤S1中等离子体为氢等离子体；所述步骤S3中柔性聚合物包括壳聚糖，聚乙烯亚胺中的一种或者多种。

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