华为技术有限公司范荣伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利芯片及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211214638.6，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权芯片及其制备方法、电子设备是由范荣伟;马野;胡成仕设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高芯片中导电部件的良率。芯片包括第一介质层，第一介质层包括第一区域和第二区域；电阻层和电阻保护层依次层叠设置在第一介质层上的第一区域内；电阻保护层包括刻蚀停止层和刻蚀阻挡层，刻蚀停止层设置在刻蚀阻挡层与电阻层之间；刻蚀阻挡层具有第一过孔，刻蚀停止层具有第二过孔。第二介质层设置在第一介质层上且覆盖电阻保护层。第一导电柱贯穿第二介质层，并穿过第一过孔和第二过孔与电阻层电连接；其中，刻蚀阻挡层用于作为形成电阻层的第一刻蚀过程中的刻蚀保护层，刻蚀停止层用于作为形成第一过孔的第二刻蚀过程中的刻蚀保护层。
本发明授权芯片及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括： 第一介质层； 电阻层和电阻保护层，依次层叠设置在所述第一介质层上的第一区域内；所述电阻保护层包括刻蚀停止层和刻蚀阻挡层，所述刻蚀停止层设置在所述刻蚀阻挡层与所述电阻层之间；所述刻蚀阻挡层具有第一过孔，所述刻蚀停止层具有第二过孔； 第二介质层，设置在所述第一介质层上且覆盖所述电阻保护层； 第一导电柱，贯穿所述第二介质层，并穿过所述第一过孔和所述第二过孔与所述电阻层电连接；所述第一导电柱包括第一导电柱本体和第一填充层，所述第一填充层覆盖所述第一导电柱本体的侧面和底面；所述第一填充层中与所述第二介质层接触的部分的厚度，大于，所述第一填充层中位于所述第一导电柱本体底面的部分的厚度； 其中，所述刻蚀阻挡层用于作为形成所述电阻层的第一刻蚀过程中的刻蚀保护层，所述刻蚀停止层用于作为形成所述第一过孔的第二刻蚀过程中的刻蚀保护层。
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