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龙图腾网获悉广东省广新离子束科技有限公司;顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)申请的专利一种5G陶瓷介质滤波器材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776785B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311820813.0，技术领域涉及：C04B41/90；该发明授权一种5G陶瓷介质滤波器材料及其制备方法是由段涛;张弘毅;权亚彤;罗军;王国梁设计研发完成，并于2023-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种5G陶瓷介质滤波器材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，所述方法包括以下步骤：S1、对陶瓷基体表面进行进行喷砂或磨抛处理，随后将处理后的陶瓷基体浸入有机溶剂进行超声波清洗，将清洗后的陶瓷基体烘干；S2、通过高能脉冲离子注入法，采用第一金属靶，将第一金属离子注入步骤S1处理后的陶瓷基体表面上，形成过渡层；S3、通过磁过滤阴极真空弧沉积，采用第二金属靶，在步骤S2制备的过渡层上沉积第二金属，形成连接层；S4、通过多弧离子镀法，采用第三金属靶，在步骤S3制备的连接层上沉积第三金属，形成表面金属层，得到滤波器膜层材料。本发明膜层材料的制备方法得到了高致密性，低粗糙度，厚度均一性的高金属化银层，使得基底陶瓷层与金属膜银层的结合力好，插损低。

本发明授权一种5G陶瓷介质滤波器材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种5G陶瓷介质滤波器材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S1、对陶瓷基体表面进行喷砂或磨抛处理，随后将处理后的陶瓷基体浸入有机溶剂进行超声波清洗，将清洗后的陶瓷基体烘干，备用； S2、通过高能脉冲离子注入法，采用第一金属靶，将第一金属离子注入步骤S1处理后的陶瓷基体表面上，形成过渡层； S3、通过磁过滤阴极真空弧沉积，采用第二金属靶，在步骤S2制备的过渡层上沉积第二金属，形成连接层； S4、通过多弧离子镀法，采用第三金属靶，在步骤S3制备的连接层上沉积第三金属，形成表面金属层，得到所述5G陶瓷介质滤波器材料； 所述第一金属为镍，所述第二金属为铜，所述第三金属为银， 所述步骤S2中高能脉冲离子注入时，其中陶瓷基体的转速为5-10rmin，注入第一金属源的触发频率1-10hz，注入电压为6-8KV，弧压为60-90V，束流为5-8mA，注入时间为20-40min， 所述步骤S3中磁过滤阴极真空弧沉积时，其中陶瓷基体的转速为5-10rmin，偏压为100V-800V，占空比为10%-80%，弧电流为80-120A，磁过滤磁场的电流为1-2A，沉积时间为20-30min， 所述步骤S4中多弧离子镀法沉积时，其中陶瓷基体的转速为5-10rmin，真空腔室的真空度为1～9×10-2Pa，弧电流为80-120A，线圈脉冲磁场为1-5A，偏压0V，沉积时间为1-5h。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东省广新离子束科技有限公司;顺束科技(天津)合伙企业(有限合伙)，其通讯地址为：510663 广东省广州市黄埔区光谱东路179号百事高智慧园C栋101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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