河北同光半导体股份有限公司崔景光获国家专利权
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龙图腾网获悉河北同光半导体股份有限公司申请的专利一种碳化硅衬底的清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117732784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311699676.X，技术领域涉及：B08B3/08；该发明授权一种碳化硅衬底的清洗方法是由崔景光;郑向光;汤欢设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅衬底的清洗方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的蜡质的吸附性，进而有利于实现低温下片，避免高温蜡干结增加清洗难度，再进行二次异丙醇溶液加热浸泡去除蜡质，最后采用两步去蜡清洗工艺和超纯水变频超声清洗工艺，实现了碳化硅衬底无死角去除残留物的目的；除此之外，还有效延长了去蜡清洗液的使用寿命，降低了清洗废液的产生量，是一种高效绿色环保的碳化硅衬底的清洗方法。
本发明授权一种碳化硅衬底的清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅衬底的清洗方法，其特征在于，所述碳化硅衬底为经化学机械抛光后的粘附在陶瓷盘上的碳化硅衬底，所述清洗方法包括以下步骤： S1，将待清洗的碳化硅衬底进行高压水冲洗，将冲洗后的碳化硅衬底依次经双氧水溶液和异丙醇溶液超声浸泡后，进行下片，分离碳化硅衬底与陶瓷盘，得到碳化硅衬底Ι；所述下片温度为30℃~40℃；所述异丙醇溶液为体积比1:2~2:5的异丙醇和水的混合溶液； S2，将所述碳化硅衬底Ι放入异丙醇中，升温，超声浸泡，得碳化硅衬底Ⅱ； S3，将所述碳化硅衬底Ⅱ放入去蜡水和水的混合溶液中，升温，超声浸泡，得碳化硅衬底Ⅲ； S4，将所述碳化硅衬底Ⅲ放入去蜡水、双氧水和水的混合溶液中，升温，超声浸泡，得洁净碳化硅衬底。
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