本源量子计算科技(合肥)股份有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉本源量子计算科技(合肥)股份有限公司申请的专利光刻胶掩膜及其制造方法、金属结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117706863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311369169.X，技术领域涉及：G03F1/50；该发明授权光刻胶掩膜及其制造方法、金属结构的制造方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;贾志龙设计研发完成，并于2023-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻胶掩膜及其制造方法、金属结构的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光刻胶掩膜及其制造方法、金属结构的制造方法。光刻胶掩膜包括：第一光刻胶层，用于形成在衬底上，第一光刻胶层形成有暴露衬底的第一开口；金属层，形成于第一光刻胶层上，金属层对应第一开口的区域内形成有宽度小于第一开口的限定开口；第二光刻胶层，形成于金属层上，第二光刻胶层形成有完全暴露限定开口的第二开口，其中，第一光刻胶层和第二光刻胶层对不同的光线敏感。本发明能够在去除残胶后，保证金属结构的宽度不受影响。
本发明授权光刻胶掩膜及其制造方法、金属结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶掩膜的制造方法，其特征在于，包括： 于衬底上依次形成第一光刻胶层、金属层和第二光刻胶层，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层对不同的光线敏感； 对所述第二光刻胶层进行光刻，形成暴露所述金属层的第二开口； 对暴露的金属层进行刻蚀，形成暴露所述第一光刻胶层且宽度等于所述第二开口的宽度的限定开口； 对暴露的第一光刻胶层进行光刻，形成暴露所述衬底且宽度等于所述限定开口的宽度的初始开口； 通过所述初始开口对所述第一光刻胶层进行等离子体刻蚀，以保持所述限定开口的宽度不变，并将所述初始开口扩展为宽度大于所述限定开口的第一开口、以及将所述第二开口的宽度扩大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人本源量子计算科技(合肥)股份有限公司，其通讯地址为：230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期E2楼六层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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