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龙图腾网获悉福建天电光电有限公司申请的专利一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117654856B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311657839.8，技术领域涉及：B05D7/24；该发明授权一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法是由李玉元;王浩;朱澄;林紘洋;李昇哲;万喜红设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于发光半导体技术领域，具体涉及一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其制备方法。本发明将第一硅胶、第一阻碍剂和第一氟化物荧光粉混合，得到基层混合材料；将第二硅胶、第二阻碍剂、第二荧光粉、氟化物荧光粉混合，得到叠加层混合材料，在载片表面层叠涂布若干单元坯体，得到成型坯体；将所述成型坯体进行固化，得到不烧结叠加层片器件；所述固化的温度为150～250℃。本发明采用不烧结的方法，投入设备少，工序简单，周期短，而且有效解决氟化物怕潮湿的问题；同时解决胶在烧结时收缩、不成型特性，达到叠加的每层结构相互激发且保护荧光粉发光的效果。由于不需要烧结，能够在封装企业中独立完成。

本发明授权一种不烧结叠加层片器件及其制备方法、一种发光半导体器件及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种不烧结叠加层片器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 将第一硅胶、第一阻碍剂和第一氟化物荧光粉混合，得到基层混合材料；所述基层混合材料包括以下质量份数的组分：第一硅胶1～35份、第一阻碍剂1～3份和第一氟化物荧光粉1～62份；所述第一硅胶的耐温温度≥260℃，所述第一阻碍剂的挥发点≤150℃，所述第一氟化物荧光粉的波长为625～635nm； 将第二硅胶、第二阻碍剂和第二荧光粉混合，所述第二荧光粉包括硅酸盐荧光粉、氮化物荧光粉、铝酸盐荧光粉和第二氟化物荧光粉中一种或多种，得到叠加层混合材料，所述叠加层混合材料包括以下质量份数的组分：第二硅胶1～25份、第二阻碍剂1～3份和第二荧光粉1～72份；所述第二硅胶的耐温温度≥260℃，所述第二阻碍剂的挥发点≤150℃，所述硅酸盐荧光粉和所述铝酸盐荧光粉的波长独立地为490～590nm；所述第二氟化物荧光粉和所述氮化物荧光粉的波长独立地为600～675nm； 将第三硅胶和散光粉混合，得到保护层混合材料，所述第三硅胶的耐温温度≥260℃，所述散光粉的耐温温度≥260℃；所述第三硅胶和散光粉的质量比为90～95：2～5； 在载片表面层叠涂布若干单元坯体，得到成型坯体；每1个单元坯体的制备方法包括：依次涂布所述基层混合材料、所述叠加层混合材料和所述保护层混合材料，分别形成基层、叠加层和保护层，得到1个单元坯体，1个单元坯体中基层混合材料的涂布厚度为10～200μm，1个单元坯体中叠加层混合材料的涂布厚度为10～300μm，1个单元坯体中保护层混合材料的涂布厚度为5～500μm； 将所述成型坯体进行固化，得到不烧结叠加层片器件；所述固化的温度为150～250℃。

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