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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117600922B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311759620.9，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质是由胡中伟;李鑫;赖志远;徐西鹏设计研发完成，并于2023-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质，涉及双面磨抛参数优化技术领域。其包含：S1、获取双面磨抛设备的设备参数。S2、根据设备参数和基于双面磨抛设备运动学模型构建的初始优化模型，构建多目标优化模型。其中，多目标优化模型以磨盘转速np、中心轮转速ns，以及工件偏心距d为优化变量。多目标优化模型以表面质量均匀性、磨盘磨损均匀性、材料去除率、加工过程稳定性和双面材料去除一致性为优化目标。S3、通过粒子群优化算法，以磨盘转速np、中心轮转速ns和工件偏心距d为迭代粒子的坐标进行求解，获取优化变量的多组解。S4、根据优化变量的多组解，筛选出各个优化目标的优先解，以及符合所有优化目标的全局最优解。

本发明授权一种双面磨抛工艺的多目标优化方法、装置、设备和介质在权利要求书中公布了：1.一种双面磨抛工艺的多目标优化方法，其特征在于，包含： 获取双面磨抛设备的设备参数；其中，所述设备参数包括：上下磨盘尺寸、中心轮尺寸、载盘尺寸、上下磨盘齿数、中心轮齿数、外齿圈齿数、磨盘转速范围、中心轮和外齿圈转速范围； 根据所述设备参数，以及基于双面磨抛设备的运动学模型预先构建的初始优化模型，构建双面磨抛设备的多目标优化模型；其中，所述多目标优化模型以磨盘转速、中心轮转速，以及工件偏心距为优化变量；所述多目标优化模型以表面质量均匀性、磨盘磨损均匀性、材料去除率、加工过程稳定性和双面材料去除一致性为优化目标； 通过粒子群优化算法，以磨盘转速、中心轮转速，以及工件偏心距为迭代粒子的坐标进行求解，获取所述优化变量的多组解； 根据所述优化变量的多组解，筛选出各个优化目标的优先解，以及符合所有优化目标的全局最优解； 所述多目标优化模型的适应度函数为： 式中，为衬底表面质量均匀性的权重系数、和分别为衬底上下表面质量均匀性的评价指标、为磨盘磨损均匀性的权重系数、和分别为上下磨盘表面磨损均匀性的评价指标、为衬底表面加工过程稳定性的权重系数、和分别为衬底上下表面加工过程稳定性的评价指标、为速度波动的权重系数、和分别为衬底上下表面相对速度波动的范围、为衬底双面材料除去率一致性的权重系数、为衬底上下表面材料去除率的差值； 所述多目标优化模型的约束条件为： 式中，和分别为上磨盘转速的最小值和最大值、和分别为下磨盘转速的最小值和最大值、和分别为中心轮转速的最小值和最大值、和分别为工件偏心距的最小值和最大值； 衬底表面质量均匀性的评价指标的计算模型为： 式中，为衬底划分的网格数、为衬底各网格内的轨迹长度、为衬底各网格内的轨迹长度的平均值； 磨盘表面磨损均匀性的评价指标的计算模型为： 式中，为磨盘所划分的环数量、为磨盘表面各环轨迹密度、为磨盘表面各环轨迹长度平均值； 衬底表面加工过程稳定性的评价指标的计算模型为： 式中，为衬底所划分的网格数、为衬底表面各网格的与磨盘的相对速度、为衬底表面与磨盘相对速度的均值； 衬底表面相对速度波动的范围的计算模型为： 式中，为衬底表面与磨盘相对速度的最大值、为衬底表面与磨盘相对速度的最小值； 衬底双面材料除去率一致性的计算模型为： 式中，为衬底上表面的材料去除率、为衬底下表面的材料去除率； 双面磨抛设备的运动学模型包括： 双面磨抛的晶片表面轨迹模型为： 式中，和分别为晶片的坐标、为太阳轮与载盘中心距、为加工时间、为工件自转转速、为太阳轮齿数、为行星轮载盘齿数、为外齿圈齿数、为中心轮转速、为工件偏心距、为磨粒在磨盘位置、为磨盘转速、为磨粒初始相位角； 双面磨抛的磨盘表面轨迹模型为： 式中，为磨粒点距离磨盘中心距离、为载盘公转角速度、为磨盘转动角速度、为加工时间、为磨粒初始相位角、为载盘中心距磨盘中心距离、为太阳轮转动角速度、为工件初始相位角； 晶片与磨盘相对速度模型为： 式中，为晶片与磨盘相对速度、为游星轮自转转速、为游星轮半径、为游星轮公转转速、为游星轮与太阳轮中心距、为工件转过的角度、为工件自转转速、为工件半径、为磨粒初始相位角； 衬底表面的材料去除率计算模型为： 式中，为材料去除体积、为工件表面积、为加工时间、为磨粒轨迹横截面积、为工件划分的网格数、为磨粒轨迹长度。

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