买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉苏州敏芯微电子技术股份有限公司申请的专利微流道芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117399089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311661737.3，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权微流道芯片的制造方法是由孙秉坤;李刚设计研发完成，并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本微流道芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开了一种微流道芯片的制造方法，包括：提供半导体晶片，包括多个微流道芯片，每个微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，结构层具有微流道；在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置对半导体晶片的保护层进行切割，以形成部分贯穿保护层的第一凹槽；在半导体晶片的具有第一凹槽的一侧进行刻蚀，以形成贯穿剩余的保护层和部分结构层的第二凹槽；在半导体晶片的背离第一凹槽的一侧，或者在其具有第一凹槽的一侧进行切割，以形成贯穿半导体晶片的第三凹槽，以得到多个分离的微流道芯片。实现了在切割微流道芯片时，不会让微流道的进出口被堵塞或者产生裂隙，提高了产品的合格率。

本发明授权微流道芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种微流道芯片的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个微流道芯片，每个所述微流道芯片包括层叠设置的保护层和结构层，所述结构层具有微流道； 在相邻两个微流道芯片之间的切割道位置对所述半导体晶片的所述保护层进行切割，以形成在厚度方向上部分贯穿所述保护层的第一凹槽； 在所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧对所述半导体晶片进行刻蚀，以形成在厚度方向上贯穿剩余的所述保护层和部分所述结构层的第二凹槽，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽相连通； 在所述半导体晶片的背离所述第一凹槽的一侧或者在所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧对剩余的所述结构层进行切割，以形成在厚度方向上贯穿所述半导体晶片的第三凹槽，并且所述第三凹槽与所述第二凹槽相连通，以得到多个分离的微流道芯片； 所述在所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧对所述半导体晶片进行刻蚀，以形成在厚度方向上贯穿剩余的所述保护层和部分所述结构层的第二凹槽的步骤，包括： 通过激光诱导刻蚀工艺在所述半导体晶片的具有所述第一凹槽的一侧对所述半导体晶片进行刻蚀，以形成在厚度方向上贯穿剩余的所述保护层的第一子凹槽； 通过深硅刻蚀工艺在所述半导体晶片的具有所述第一子凹槽的一侧对所述半导体晶片进行刻蚀，以形成在厚度方向上部分贯穿所述结构层的第二子凹槽； 通过深硅刻蚀工艺在所述半导体晶片的具有所述第一子凹槽的一侧对所述半导体晶片进行刻蚀，以形成在厚度方向上部分贯穿所述结构层的第二子凹槽时，在所述保护层和所述结构层的接合处形成所述微流道的进口和出口，所述第二子凹槽的侧壁完全覆盖所述进口和出口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州敏芯微电子技术股份有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市工业园区旺家浜巷8号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。