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龙图腾网获悉荣耀终端有限公司申请的专利包括去耦电容器的半导体器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117393553B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210785400.2，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权包括去耦电容器的半导体器件及制造方法是由王全龙;黄松设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括去耦电容器的半导体器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件，其包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的管芯；在管芯的第二侧内且包括横向间隔设置的第一电容器单元和第二电容器单元的去耦电容器；其中第一电容器单元包括第一上电极和第一下电极；第二电容器单元包括第二上电极和第二下电极；其中第一上电极与第二下电极电连通，且第一下电极与第二上电极电连通；第一导电孔位于第一电容器单元与第一侧之间，其填充有第一导电材料用于将第一电容器单元的第一上电极与半导体器件的第一侧电连通；第二导电孔位于第二电容器单元与第一侧之间，其填充有第二导电材料用于将第二电容器单元的第二上电极与半导体器件的第一侧电连通。

本发明授权包括去耦电容器的半导体器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括： 管芯，其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧； 去耦电容器，其在所述管芯的第二侧内且包括横向间隔设置的第一电容器单元和第二电容器单元；其中 所述第一电容器单元包括第一上电极和第一下电极； 所述第二电容器单元包括第二上电极和第二下电极；其中 所述第一上电极与所述第二下电极电连通，且所述第一下电极与所述第二上电极电连通包括：所述第一上电极通过一个或多个第一导电插塞与所述第二下电极电连通，以及所述第二上电极通过一个或多个第二导电插塞与所述第一下电极电连通；其中，所述第一上电极和所述第二下电极相向延伸至存在第一纵向重叠，所述第一导电插塞贯穿所述第一纵向重叠中的第一上电极和第二下电极之间的第一电介质材料或第二电介质材料，所述第一导电插塞的两端分别与所述第一上电极和所述第二下电极接触；以及所述第一下电极和所述第二上电极相向延伸至存在第二纵向重叠，所述第二导电插塞贯穿所述第二纵向重叠中的第一下电极和第二上电极之间的第一电介质材料或第二电介质材料，所述第二导电插塞的两端分别与所述第一下电极和所述第二上电极接触； 第一导电孔，位于第一电容器单元与所述第一侧之间，其填充有第一导电材料，所述第一导电材料将所述第一电容器单元的第一上电极与所述半导体器件的第一侧电连通； 第二导电孔，位于第二电容器单元与所述第一侧之间，其填充有第二导电材料，所述第二导电材料将所述第二电容器单元的第二上电极与所述半导体器件的第一侧电连通。

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