丰联科光电(洛阳)股份有限公司;隆华科技集团(洛阳)股份有限公司郭金洋获国家专利权
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龙图腾网获悉丰联科光电(洛阳)股份有限公司;隆华科技集团(洛阳)股份有限公司申请的专利利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117344292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311217903.0，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法是由郭金洋;张雪凤;郭雅俊;方宏;宁来元设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法，该方法使用溅射镀膜后的钼残靶作为原材料，首先对钼残靶进行铣面加工，保证两面平整，再重新轧制到一定厚度，加工成所需要的钼环。该方法生产的精车钼环密度高，加工性能好，使用寿命长，可以满足MPCVD法制备金刚石膜行业应用要求。且避免重复烧结板坯造成的浪费，大大降低了成本，尤其适合壁厚较薄钼环的生产。
本发明授权利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法在权利要求书中公布了：1.利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法，其特征在于，主要包括如下步骤： 1、选用磁控溅射镀膜后退回的钼残靶，将钼残靶预处理成表面平整洁净的钼块； 2、对钼块进行轧制处理，得到钼板； 3、对钼板进行退火和校平处理； 4、对校平后钼板采用水切割下料，得到毛坯钼环； 5对毛坯钼环进行精车加工，即得到壁厚小于10mm的钼环； 其中，步骤2中，将钼块加热至1050-1150℃，保温0.5-1.5h，采用一火二道次轧制法，第一道次变形量为15-30%，第二道次变形量为10-20%； 步骤3中，退火处理的具体参数为：将钼板在800-900℃的温度下保温0.5-1.5h。
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