买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种快速响应的三环LDO电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117055677B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311261937.X，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种快速响应的三环LDO电路结构是由唐路;邹舜杰;唐旭升;张有明设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种快速响应的三环LDO电路结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速响应的三环LDO电路结构，包括运算放大器电路、电流偏置电路、控制电压产生电路、翻转电压跟随器。翻转电压跟随器包括超级源跟随器、推挽输出级、快速负反馈环路。该结构充分利用了推挽输出结构栅电压共同降低的特性，大幅度提升了抽拉电流的能力，同时通过增加额外的增益级，提升了低频时的电源噪声抑制比。此外，本结构由于采用了超级源跟随器结构，通过负反馈降低节点阻抗，有效提高了环路稳定性。

本发明授权一种快速响应的三环LDO电路结构在权利要求书中公布了：1.一种快速响应的三环LDO电路结构，其特征在于，包括运算放大器电路1、控制电压产生电路2和翻转电压跟随器3三个部分； 运算放大器电路1输出端与负输入端相连，参考电压源VREF接运算放大器电路1正输入端，运算放大器电路1的负输入端接输出端构成单位增益负反馈，运算放大器电路1输出端的电压等于参考电压源VREF； 运算放大器电路1的输出端接控制电压产生电路2的输入端，产生控制电压产生电路2输出电压VCTRL； 控制电压产生电路2输出端接翻转电压跟随器3输入端，然后通过将控制电压产生电路2将参考电压源VREF复制到翻转电压跟随器3的输出端VOUT； 所述翻转电压跟随器包括推挽输出级，快速负反馈环路和超级源跟随器； 所述推挽输出级包括第四MOS管M4和第一MOS管M1； 所述快速负反馈环路包括第四MOS管M4、第三MOS管M3、第二MOS管M2、第一MOS管M1； 所述超级源跟随器包括第三MOS管M3和第十五MOS管M15； 第一MOS管M1的漏极接第二MOS管M2的源极、第四MOS管M4的漏极； 第二MOS管M2的漏极接第三MOS管M3的栅极、第四MOS管M4的栅极； 第一MOS管M1的栅极接第三MOS管M3的源极、第十五MOS管M15的漏极； 第三MOS管M3的漏极接第十五MOS管M15的栅极； 所述运算放大器电路1包括运算放大器OPA； 所述控制电压产生电路2包括第十MOS管M10、第十二MOS管M12； 所述翻转电压跟随器3还包括第七MOS管M7、第八MOS管M8、第九MOS管M9、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14、第十六MOS管M16； 第一MOS管M1的源极、第五MOS管M5的源极、第六MOS管M6的源极、第七MOS管M7的源极、第八MOS管M8的源极、第九MOS管M9的源极接电源； 电流源IBIAS的输入端、第六MOS管M6的栅极、第七MOS管M7的栅极、第八MOS管M8的栅极、第五MOS管M5的栅极接第五MOS管M5的漏极； 第九MOS管M9的漏极接第八MOS管M8的漏极、第九MOS管M9的栅极； 第一MOS管M1的漏极接负载电容CLOAD的一端、输出端VOUT； 第二MOS管M2的栅极接第十MOS管M10的漏极、第十MOS管M10的栅极、第十二MOS管M12的漏极； 第二MOS管M2的漏极接第十六MOS管M16的漏极； 第三MOS管M3的漏极接第十四MOS管M14的漏极； 第六MOS管M6的漏极接第十一MOS管M11的漏极、第十一MOS管M11的栅极、第十二MOS管M12的栅极； 第七MOS管M7的漏极接第十三MOS管M13的栅极、第十三MOS管M13的漏极、第十四MOS管M14的栅极、第十六MOS管M16的栅极； 第十MOS管M10的源极接运算放大器OPA的负输入端、运算放大器OPA的输出端； 电流源IBIAS的另一端、第十一MOS管M11的源极、第十二MOS管M12的源极、第十三MOS管M13的源极、第十四MOS管M14的源极、第十五MOS管M15的源极、第十六MOS管M16的源极、第四MOS管M4的源极、负载电容CLOAD的另一端接地线GND。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东南大学，其通讯地址为：211102 江苏省南京市江宁区东南大学路2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。