北京师范大学廖斌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京师范大学申请的专利采用双脉冲离子束技术制备的超薄集流体及其方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310915082.1，技术领域涉及：C23C14/20；该发明授权采用双脉冲离子束技术制备的超薄集流体及其方法和装置是由廖斌;欧阳潇;陈琳;欧阳晓平;罗军;庞盼;张旭;英敏菊;吴先映设计研发完成，并于2023-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本采用双脉冲离子束技术制备的超薄集流体及其方法和装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用双脉冲离子束技术制备超薄集流体的方法，其特征在于，先对超薄聚合物进行烘烤、气体离子源清洗，然后将等离子体通过磁过滤沉积和磁控溅射沉积在超薄聚合物表面得到所述超薄集流体。从放卷到收卷，超薄聚合物两面分别经历：气体离子源清洗、磁过滤沉积以及磁控溅射沉积。采用本发明方法制得的集流体表面形成的薄膜致密、平整光滑，抗腐蚀性能好,且与聚合物基体结合良好。
本发明授权采用双脉冲离子束技术制备的超薄集流体及其方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种采用双脉冲离子束技术制备超薄集流体的方法，其特征在于，先对超薄聚合物进行烘烤、气体离子源清洗，然后将等离子体通过磁过滤沉积和磁控溅射沉积在超薄聚合物表面得到所述超薄集流体； 所述烘烤的处理温度为80-160℃，处理时间为1-24h；所述气体离子源清洗的清洗束流为600-1000mA，清洗温度为80-120℃，清洗时走速为1-3mmin，清洗后粗糙度增加10%； 所述磁过滤沉积包括：开启磁过滤沉积引出金属等离子体，然后对等离子体进行扫描，最后开启脉冲电场对聚合物进行瞬间加速； 所述开启磁过滤沉积包括开启脉冲磁场和磁过滤弯管磁场； 所述脉冲磁场的脉冲电流为5-30A，脉冲频率为10-100Hz；磁过滤弯管磁场的磁场电流1-5A，铜靶的起弧电流50-150A，引出等离子体束流400-800mA； 所述开启脉冲磁场对等离子体进行扫描包括利用弧光放电，通过脉冲磁场对等离子体进行输运调控，开启扫描磁场； 所述扫描磁场的电流-10-10A，频率为10-100Hz； 所述脉冲电场的电压为1-50kV，瞬间功率为1MW，脉宽为1-5μs，频率为10-1000Hz。
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