翱捷科技股份有限公司王书云获国家专利权
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龙图腾网获悉翱捷科技股份有限公司申请的专利一种确保启动的带隙基准电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116880640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310829324.5，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种确保启动的带隙基准电路是由王书云;廖泽鑫;王建伟设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种确保启动的带隙基准电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种确保启动的带隙基准电路，包括启动和偏置电路。运放电流源偏置电路中，所有MOS器件均工作于强反型区；第六PMOS管是电流镜管，与PTAT运放中的电流源器件组成电流镜；第六PMOS管的栅极产生偏置电压，用于偏置PTAT运放中的电流源器件；第九NMOS管的栅极由带隙基准电路输出的参考电压偏置。低成本启动电路中，第十NMOS管和第九NMOS管并联，且参数相同；第十NMOS管的栅极连接第十一NMOS管的栅极和第十二NMOS管的源极。本发明可确保整个带隙基准电路正常启动，提升了工艺偏差情况下带隙基准电路的启动可靠性。
本发明授权一种确保启动的带隙基准电路在权利要求书中公布了：1.一种确保启动的带隙基准电路，其特征是，所述带隙基准电路包括启动和偏置电路；所述启动和偏置电路进一步包括运放电流源偏置电路和低成本启动电路； 所述运放电流源偏置电路中，在电源电压和地之间依次级联有二极管连接型第六PMOS管、第九NMOS管和第三电阻；所述第六PMOS管和第九NMOS管均工作于强反型区；第六PMOS管是电流镜管，与PTAT运放中的电流源器件组成电流镜；第六PMOS管的栅极产生偏置电压，用于偏置PTAT运放中的电流源器件；第九NMOS管的栅极由带隙基准电路输出的参考电压偏置； 所述低成本启动电路中，在电源电压和地之间依次级联有二极管连接型第七PMOS管、二极管连接型第十二NMOS管和二极管连接型第十一NMOS管，还包括第十NMOS管；第十NMOS管和第九NMOS管并联，且参数相同；第十NMOS管的栅极连接第十一NMOS管的栅极和第十二NMOS管的源极。
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