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易宏科技(江苏)有限公司莫金伟获国家专利权

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龙图腾网获悉易宏科技(江苏)有限公司申请的专利一种MOS管的高边驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116865736B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310990947.0,技术领域涉及:H03K17/687;该发明授权一种MOS管的高边驱动电路是由莫金伟;周大为设计研发完成,并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种MOS管的高边驱动电路在说明书摘要公布了:本发明公开了一种MOS管的高边驱动电路,涉及电池充放电控制技术领域,所述驱动电路包括MCU、第一储能模块、第二储能模块、开关控制模块、MOS管Q1、MOS管Q2;MCU分别与第一储能模块、第二储能模块、开关控制模块连接;第一储能模块分别与电池正极端口、第二储能模块连接;开关控制模块分别与第二储能模块、MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极连接;MOS管Q1的漏极与电池正极端口连接,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的源极连接;MOS管Q2的漏极与电池充放电端口连接;MCU,用于控制MOS管Q1和MOS管Q2的导通和关断,本申请实现了对MOS管的高效控制。

本发明授权一种MOS管的高边驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种MOS管的高边驱动电路,其特征在于,所述驱动电路包括MCU1、第一储能模块2、第二储能模块3、开关控制模块4、MOS管Q1、MOS管Q2; MCU1分别与第一储能模块2、第二储能模块3、开关控制模块4连接;第一储能模块2分别与电池正极端口、第二储能模块3连接;开关控制模块4分别与第二储能模块3、MOS管Q1的栅极、MOS管Q2的栅极连接;MOS管Q1的漏极与电池正极端口连接,MOS管Q1的源极与MOS管Q2的源极连接;MOS管Q2的漏极与电池充放电端口连接; MCU1,用于控制MOS管Q1和MOS管Q2的导通和关断; 所述MCU1控制MOS管Q1和MOS管Q2的导通,具体包括: MCU1控制第一储能模块2开启,电池电能通过电池正极端口向第一储能模块2充电;MCU1检测第一储能模块2输出端电压值Vf,当所述电压值Vf达到第一预设电压Vdrive1时,MCU1控制第二储能模块3开启,使第一储能模块2向第二储能模块3充电;MCU1检测第二储能模块3输出端电压值Vs,当所述电压值Vs达到第二预设电压Vdrive2时,MCU1控制开关控制模块4开启,使开关控制模块4根据第二储能模块3输出的电能,驱动MOS管Q1和MOS管Q2导通,实现电池正极端口与电池充放电端口的连通; 所述MCU1控制MOS管Q1和MOS管Q2的关断,具体包括: MCU1控制开关控制模块4关闭,所述开关控制模块4自动泄放MOS管Q1栅源电容和MOS管Q2栅源电容的电量,使MOS管Q1和MOS管Q2关断,实现电池正极端口与电池充放电端口的断开; 所述第一储能模块2包括二极管D8、电容C4、三极管Q6、三极管Q7、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16; 二极管D8的正极与电池正极端口连接;二极管D8的负极分别与电容C4的正极、第二储能模块3连接;电容C4的负极分别与第二储能模块3连接,电容C4的负极还通过串联的电阻R13与三极管Q6的集电极、三极管Q7的集电极连接;三极管Q7的发射极分别与电阻R14的第一端、电池负极端口连接;三极管Q7的基极分别与电阻R14的第二端、电阻R15的第一端连接;电阻R15的第二端分别与三极管Q6的基极、电阻R16的第一端连接;电阻R16的第二端与MCU1连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人易宏科技(江苏)有限公司,其通讯地址为:213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区新雅路18号595室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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