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龙图腾网获悉北京中唐电工程咨询有限公司申请的专利无损检测传感器及无损检测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116818882B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310807172.9，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权无损检测传感器及无损检测系统是由韩振华;李亚冬;胡振江;张长虎;张皙;庄涛;李冲;崔忠帆;杨万平设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本无损检测传感器及无损检测系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无损检测传感器及无损检测系统。无损检测传感器中的磁轭包括基底、第一磁桥和第二磁桥，基底分别与第一磁桥和第二磁桥连接；基底的第一端部、第一永磁体、第一极靴依次接触，基底的第二端部、第二永磁体、第二极靴依次接触；第一磁桥和第二磁桥位于基底的第一端部和第二端部之间；至少一个第一磁敏元件设置于第一磁桥和第二磁桥之间，至少一个第二磁敏元件设置于第一磁桥的下方，至少一个第三磁敏元件设置于第二磁桥的下方。通过设置第一磁敏元件、第二磁敏元件和第三磁敏元件可以实现裂纹缺陷的交叉互检，提高检测准确率和检测效率。

本发明授权无损检测传感器及无损检测系统在权利要求书中公布了：1.一种无损检测传感器，其特征在于，包括：磁轭、第一永磁体、第二永磁体、第一极靴、第二极靴、多个第一磁敏元件、多个第二磁敏元件和多个第三磁敏元件； 所述磁轭包括基底、第一磁桥和第二磁桥，所述基底分别与所述第一磁桥和所述第二磁桥连接，所述第一磁桥和所述第二磁桥沿第一方向排列，所述第一磁桥和所述第二磁桥沿第二方向的长度相同，第一方向和第二方向垂直，所述第一磁桥和所述第二磁桥用于对所述第一永磁体和所述第二永磁体的漏磁进行磁屏蔽； 所述第一永磁体的顶面与所述基底的第一端部接触，所述第一永磁体的底面与所述第一极靴的顶面接触，所述第二永磁体的顶面与所述基底的第二端部接触，所述第二永磁体的底面与所述第二极靴的顶面接触，所述第一极靴的底面和所述第二极靴的底面距离被测构件的预设表面的距离均位于预设范围内； 所述第一永磁体的顶面的磁极与所述第二永磁体的顶面的磁极相反，所述第一永磁体的底面的磁极与所述第二永磁体的底面的磁极相反； 所述第一磁桥和所述第二磁桥位于所述基底的第一端部和第二端部之间； 多个所述第一磁敏元件位于所述基底的下方且设置于所述第一磁桥和所述第二磁桥之间，多个所述第二磁敏元件设置于所述第一磁桥的下方，多个所述第三磁敏元件设置于所述第二磁桥的下方，多个所述第一磁敏元件、多个所述第二磁敏元件和多个所述第三磁敏元件均错位排布； 多个所述第一磁敏元件、多个所述第二磁敏元件、多个所述第三磁敏元件与被测构件的预设表面之间的距离均位于预设距离范围内，且多个所述第一磁敏元件与多个所述第二磁敏元件，或多个所述第一磁敏元件与多个所述第三磁敏元件用于对不同深度以及不同角度的裂纹缺陷进行检测。

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