昆山双桥传感器测控技术有限公司王冰获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山双桥传感器测控技术有限公司申请的专利一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116773058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310741045.3，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器是由王冰;万景川;杜奋豪;谢南南;郭鹏;周峰;毛超民;邹超;杨见欢设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器，该芯片包括：压敏膜片；其中，压敏膜片正面刻蚀呈环状均匀布置的2N个不连续的凹区；2N个不连续的凹区相邻间隙形成N个直梁；2N个不连续的凹区3围成的中间区域形成中心圆岛；N为正整数；同一直梁上对称布置四个压敏电阻；中心圆岛4集成有PT电阻。本发明采用在芯片正面结构上集成PT电阻的方式温度反应实时迅速、结果真实，能够解决在快速温度变化下传感器的温度补偿问题，有助于提升MEMS硅压力传感器的性能。
本发明授权一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片及传感器在权利要求书中公布了：1.一种带有PT电阻的MEMS硅压力传感器芯片，其特征在于，包括：压敏膜片； 其中，所述压敏膜片正面刻蚀呈环状均匀布置的2N个不连续的凹区；2N个不连续的所述凹区相邻间隙形成N个直梁；2N个不连续的所述凹区围成的中间区域形成中心圆岛；N为正整数； 所述直梁为应力集中区域，直梁靠近压敏膜片的区域有正的纵向横向应力差，直梁靠近中心圆岛的区域有负的纵向横向应力差； 同一所述直梁上对称布置四个压敏电阻；所述压敏电阻为折弯结构，方向沿110晶向排布； 所述压敏电阻包括：两个压敏电阻条和一个重掺杂连接条；所述重掺杂连接条的两端分别对应各自连接一个压敏电阻条的一端；所述压敏电阻条的另一端通过重掺杂连接块与金属引线连接； 所述中心圆岛集成有PT电阻，所述PT电阻为圆弧式的栅丝结构。
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