广东技术师范大学;广州宏武材料科技有限公司熊良斌获国家专利权
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龙图腾网获悉广东技术师范大学;广州宏武材料科技有限公司申请的专利一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116768487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310839811.X，技术领域涉及：C03C17/22；该发明授权一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法是由熊良斌;付渭嵩;孙旭冬设计研发完成，并于2023-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。该薄膜的制备方法包括以下步骤：1使用真空蒸镀法在衬底表面形成锡锑锡层状三明治结构的金属薄膜；2将步骤1制备的金属薄膜作为工作电极，铂电极作为对电极进行电解；3取出电解后的金属薄膜进行清洗，然后再进行退火处理，得到所述的锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜。本发明通过真空蒸镀锡、锑金属，再通过阳极氧化获得二氧化锡薄膜，经过高温退火后获得透明导电二氧化锡薄膜，薄膜经过锑掺杂后，薄膜方阻可以达到198Ω□，透光率能达到70％以上。本发明具有普适性好、设备要求低、制备简单、重复性好的优点，有较好的推广价值。
本发明授权一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1使用真空蒸镀法在衬底表面形成锡锑锡层状三明治结构的金属薄膜； 2将步骤1制备的金属薄膜作为工作电极，铂电极作为对电极进行电解； 3取出电解后的金属薄膜进行清洗，然后再进行退火处理，得到所述的锑掺杂的二氧化锡透明导电薄膜； 步骤1中，所述金属薄膜的两个锡层的金属锡用量相同，两个锡层的总金属锡用量与锑层金属锑的用量比为5-20：1； 步骤2中，所述电解使用的电解液由去离子水和二甲基亚砜按照容积比1：0.5-1.5配置而成，并在溶液中加入0.15-0.25molL的一水合柠檬酸。
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