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龙图腾网获悉安徽方兴光电新材料科技有限公司申请的专利一种可见光波段相同反射率的膜层结构及其镀膜工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116752094B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310810340.X，技术领域涉及：C23C14/20；该发明授权一种可见光波段相同反射率的膜层结构及其镀膜工艺是由王齐齐;许波;刘月豹;吴国伟;高峰;石李武设计研发完成，并于2023-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可见光波段相同反射率的膜层结构及其镀膜工艺在说明书摘要公布了：本发明公开一种可见光波段相同反射率的膜层结构及其镀膜工艺，该膜层结构按次序依次包括：PET基材层、单晶硅膜层、氮化硅膜层、氧化硅膜层，在氧化硅膜层外还镀有一层五氧化二铌层，所述氮化硅膜层由三层氮化硅层组成；本发明还公开了一种制备方法，用于制备可见光波段相同反射率的膜层结构，包括以下步骤：S1.单晶硅沉积；S2.第一氮化硅层的沉积；S3.第二氮化硅层的沉积；S4.第三氮化硅层的沉积；S5.氧化硅膜层的沉积；本发明提供的膜层结构在可见光波段具有相同的反射率，颜色指标趋近于0，看上去透明无颜色，当膜材粘贴到后盖上时，肉眼无法明显分辨出膜材结构；既保持了玻璃的视觉美感，又可达到防刮伤、防摔的作用。

本发明授权一种可见光波段相同反射率的膜层结构及其镀膜工艺在权利要求书中公布了：1.一种用于制备可见光波段相同反射率膜层结构的镀膜工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1.单晶硅沉积：通过磁控溅射的方法使单晶硅轰击PET基材表面，形成单晶硅膜层并沉积在PET基材表面； S2.第一氮化硅层的沉积： S201.第一氮化硅层沉积：通过磁控溅射的方式在单晶硅膜层表面形成14-16nm厚的第一氮化硅层；所述磁控溅射的工艺参数为：走速1.5m-3mmin、功率10-24kw，通入的稀有气体为氩气和氮气的质量比为1:1的混合物，氩气流量90-120sccm，氮气流量90-120sccm； S202.氩离子辐照：对形成的第一氮化硅层进行电压20-300kV，辐照能量为40-300keV，辐照剂量为1010-1015ionscm2的氩离子辐照，辐照时间为5-10min； S203.五氧化二铌膜层沉积：调整氩离子辐照参数，在电压300-400kV，辐照能量为300-500keV，辐照剂量为1011-1016ionscm2的辐照情况下，通过磁控溅射的方式在第一氮化硅层的表面形成一层3-5nm厚的五氧化二铌膜层，常温静置1-2h； S204.五氧化二铌膜层修饰：对五氧化二铌膜层表面采用等离子体进行清洗，通入氩气产生等离子体对五氧化二铌膜层表面进行轰击，去除第一氮化硅层表面的五氧化二铌层，控制通入氩气80-150sccm，射频电源功率1-3kw，清洗5-10s； S3.第二氮化硅层的沉积： S301.第二氮化硅层沉积：通过磁控溅射的方式在第一氮化硅层表面形成8-10nm厚的第二氮化硅层；所述磁控溅射的工艺参数为：走速1.5m-3mmin、功率8-18kw，通入的稀有气体为氩气和氮气的质量比为1:1的混合物，氩气流量90-120sccm，氮气流量90-120sccm； S302.五氧化二铌膜层沉积：在电压300-400kV，辐照能量为300-500keV，辐照剂量为1011-1016ionscm2的辐照情况下，通过磁控溅射的方式在第二氮化硅层的表面形成一层2-3nm厚的五氧化二铌层，常温静置1-1.5h； S303.五氧化二铌膜层修饰：对五氧化二铌膜层表面采用等离子体进行清洗，通入氩气产生等离子体对五氧化二铌膜层表面进行轰击，去除第二氮化硅层表面的五氧化二铌层，控制通入氩气80-150sccm，射频电源功率1-3kw，清洗4-7s； S4.第三氮化硅层的沉积： S401.第三氮化硅层沉积：通过磁控溅射的方式在第二氮化硅层表面形成8-14nm厚的第三氮化硅层；所述磁控溅射的工艺参数为：走速1.5m-3mmin、功率12-20kw，通入的稀有气体为氩气和氮气的质量比为1:1的混合物，氩气流量90-120sccm，氮气流量90-120sccm； S402.五氧化二铌膜层沉积：在电压300-400kV，辐照能量为300-500keV，辐照剂量为1011-1016ionscm2的辐照情况下，通过磁控溅射的方式在第三氮化硅层的表面形成一层2-3nm厚的五氧化二铌层，常温静置1-2h； S403.五氧化二铌膜层修饰：对五氧化二铌膜层表面采用等离子体进行清洗，通入氩气产生等离子体对五氧化二铌膜层表面进行轰击，去除第三氮化硅层表面的五氧化二铌层，控制通入氩气80-150sccm，射频电源功率1-3kw，清洗5-7s； S5.氧化硅膜层的沉积：通过磁控溅射的方式在第三氮化硅层表面形成20-30nm厚的氧化硅膜层，即得可见光波段相同反射率的膜层结构。

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