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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116377385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310222151.0，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层及其制备方法是由周琼;王涛;黄彪;陈强;张而耕;梁丹丹设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层及其制备方法，该多层涂层包括基体1表面的TiN层2、TiAlN层3、TiAlSiN层4和TiAlSiCrN层5，所述的多层涂层总厚度为2.7～3.2μm；该方法具体为：采用物理气相沉积在基体1表面分层沉积TiN层2、TiAlN层3、TiAlSiN层4与TiAlSiCrN层5；所述的制备工艺参数包括：氮气体积流量为160～200sccm，真空度为2.0～4.2Pa，温度为400～500℃，刻蚀偏压为‑800～‑700V，沉积偏压为‑120～‑80V。与现有技术相比，本发明提高涂层抗氧化性，延长使用寿命。

本发明授权一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Cr掺杂的TiAlSiN多层涂层，其特征在于，该多层涂层包括基体1表面的TiN层2、TiAlN层3、TiAlSiN层4和TiAlSiCrN层5，所述的多层涂层总厚度为2.7~3.2μm，所述的多层涂层用于高速干式切削领域； 所述的TiN层2厚度为0.2~0.3μm； 所述的TiAlN层3厚度为1.5~1.7μm； 所述的TiAlSiN层4厚度为0.8~0.9μm； 所述的TiAlSiCrN层5厚度为0.2~0.3μm； 所述的TiN层2制备工艺参数包括：Ti靶电流为180~200A，沉积时间为25~30min； 所述的TiAlN层3制备工艺参数包括：Ti靶电流为180~200A，AlTi靶电流为160~180A，沉积时间为85~90min； 所述的TiAlSiN层4制备工艺参数包括：TiSi靶电流为160~180A，AlTi靶电流为120~180A，沉积时间为45~50min； 所述的TiAlSiCrN层5制备工艺参数包括：TiSi靶电流为160~180A，AlTi靶电流为120~180A，Cr靶电流为120~180A，沉积时间为25~30min。

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