东京毅力科创株式会社根石浩司获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利成膜方法和成膜装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116356286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211647658.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权成膜方法和成膜装置是由根石浩司设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本成膜方法和成膜装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够形成杂质少的金属氧化膜的成膜方法和成膜装置。对处理容器内的基片成膜金属氧化膜的成膜方法包括：向处理容器内供给含有有机金属前体的原料气体的步骤；在供给原料气体的步骤之后去除残留在处理容器内的残留气体的步骤；接着进行的向处理容器内供给使原料气体氧化的氧化剂的步骤；在供给氧化剂的步骤之后去除残留在处理容器内的残留气体的步骤；和与供给原料气体的步骤同时，或者在供给原料气体的步骤后相继地，向处理容器内供给含氢的还原气体的步骤。
本发明授权成膜方法和成膜装置在权利要求书中公布了：1.一种对处理容器内的基片成膜多元金属氧化膜的成膜方法，其中，所述多元金属氧化膜由分别含有不同金属的多个金属氧化膜构成，所述成膜方法的特征在于： 所述成膜方法具有将所述多个金属氧化膜分别进行成膜的多个阶段， 所述阶段各自包括： 向所述处理容器内供给含有有机金属前体的原料气体的步骤； 在供给原料气体的步骤之后，去除残留在所述处理容器内的残留气体的步骤； 接着进行的向所述处理容器内供给使所述原料气体氧化的氧化剂的步骤；和 在供给氧化剂的步骤之后，去除残留在所述处理容器内的残留气体的步骤， 所述多个阶段中的至少一者包括：与供给原料气体的步骤同时地，向所述处理容器内供给含氢的还原气体，由此促进所述有机金属前体的热分解，由此使最佳成膜温度一致的步骤，所述最佳成膜温度是所述多个阶段的每个阶段中的、前体饱和吸附而成膜速度一定的成膜温度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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