西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)赵进获国家专利权
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龙图腾网获悉西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)申请的专利一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116345099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310040765.7，技术领域涉及：H01P1/36；该发明授权一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法是由赵进;林亚宁;胡艺缤;赖金明;吴燕辉设计研发完成，并于2023-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅基腔体环行器隔离器及其加工方法，其结构包括从上到下依次设置的永磁体、上硅片、第一电路膜层、下硅片、第二电路膜层和底板封装层，第二电路膜层底部设有一贯穿至下硅片顶部的通孔，通孔内设有铁氧体，所述第一电路膜层上表面和下表面，下硅片的上表面分别设有一粘附过渡层，所述粘附过渡层采用Ti与W的合金材料，第一电路膜层、第二电路膜层电镀金属层进行加厚，所述金属层材质与第一电路膜层和第二电路膜层的材质相同。本发明能极大地提高了导电金属层的薄膜附着力，增强了器件的可靠性，且能有效的阻挡上下层材料在各种环境下的互相扩散，使器件保持在一个稳定的状态，提高微波器件单元的性能。
本发明授权一种硅基腔体环行器/隔离器及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基腔体环行器隔离器，包括从上到下依次设置的永磁体、上硅片、第一电路膜层、下硅片、第二电路膜层和底板封装层，第二电路膜层底部设有一贯穿至下硅片顶部的通孔，通孔内设有铁氧体，其特征在于： 所述第一电路膜层上表面和下表面，下硅片的上表面分别设有一粘附过渡层，所述粘附过渡层采用Ti与W的合金材料，其原子比例为：Ti:W=1:9，且粘附过渡层厚度为10纳米~100纳米； 所述第一电路膜层、第二电路膜层电镀金属层进行加厚，金属层的厚度为1微米~5微米，所述金属层材质与第一电路膜层和第二电路膜层的材质相同。
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