中国科学院上海硅酸盐研究所张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种碳基自支撑电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310096793.0，技术领域涉及：H01M4/90；该发明授权一种碳基自支撑电极及其制备方法是由张涛;候志前;孙壮设计研发完成，并于2023-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳基自支撑电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳基自支撑电极及其制备方法，所述碳基自支撑电极包括：碳布以及原位生长在所述碳布上的负载有金属钌团簇的二硫化钒纳米片。
本发明授权一种碳基自支撑电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳基自支撑电极的制备方法，其特征在于，所述碳基自支撑电极包括碳布以及原位生长在所述碳布上的负载有金属钌团簇的二硫化钒纳米片； 所述碳基自支撑电极的制备方法包括以下步骤： 1前体溶液的制备：分别称取钒源、硫源和钌源分散于去离子水中形成前体溶液；所述钒源、硫源和钌源的质量比为15~20：10~20：1~3； 2碳布的处理：将裁剪好的碳布置于浓硝酸溶液中搅拌，依次用去离子水和无水乙醇清洗、干燥； 3将所述前体溶液转移至聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压反应釜中，同时将碳布竖直放入反应釜中作为基底材料，加热、保温，待反应釜冷却至室温后，取出样品，依次用去离子水和无水乙醇清洗，然后干燥；所述加热温度为180～240℃，保温时间为18～30小时。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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