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龙图腾网获悉国网智能电网研究院有限公司;国网上海市电力公司;国家电网有限公司申请的专利一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116184292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310097644.6，技术领域涉及：G01R35/00；该发明授权一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法是由钱森;陈川;黄辉;邓辉;司文荣;刘召杰设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法，该系统包括：两个三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置；控制装置检测到三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时，激励第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场，采集待测磁阻多层膜在激励磁场下的输出电压，进行标定。通过嵌套两个三维亥姆霍兹线圈，并利用高灵敏度的磁通门磁强计监测地磁场干扰，通过第一三维亥姆霍兹线圈提供负反馈磁场抵消地磁场的干扰。通过第二三维亥姆霍兹线圈提供激励磁场，测试标定待测的磁阻多层膜。还可以从任意方向抵消外界地磁场的干扰，避免磁屏蔽筒的轴向屏蔽效果差的缺陷，且无需建设大型磁屏蔽室即可实现高灵敏度磁阻多层膜的标定。

本发明授权一种抗干扰磁阻多层膜标定系统及其标定方法在权利要求书中公布了：1.一种抗干扰磁阻多层膜标定系统，其特征在于，包括：第一三维亥姆霍兹线圈、第二三维亥姆霍兹线圈、三轴磁通门磁强计、转换电路以及控制装置； 所述第二三维亥姆霍兹线圈设置在所述第一三维亥姆霍兹线圈内部，待测磁阻多层膜设置在所述第二三维亥姆霍兹线圈内部，所述三轴磁通门磁强计设置在所述第一三维亥姆霍兹线圈和所述第二三维亥姆霍兹线圈之间，所述转换电路设置在所述第一三维亥姆霍兹线圈外部，所述转换电路的一端连接所述三轴磁通门磁强计，所述转换电路的另一端连接所述第一三维亥姆霍兹线圈； 所述三轴磁通门磁强计根据地磁场和所述第一三维亥姆霍兹线圈产生的负磁场的合成磁场生成反馈电压，所述转换电路接收所述反馈电压生成反馈电流输出至所述第一三维亥姆霍兹线圈，所述第一三维亥姆霍兹线圈根据所述反馈电流产生负磁场； 所述控制装置连接所述三轴磁通门磁强计和待测磁阻多层膜，所述控制装置检测到所述三轴磁通门磁强计输出的反馈电压为零时，激励所述第二三维亥姆霍兹线圈产生激励磁场，采集待测磁阻多层膜在所述激励磁场下的输出电压，根据所述输出电压和所述激励磁场对待测磁阻多层膜进行标定。

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