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龙图腾网获悉瓦克化学股份公司申请的专利制造多晶硅颗粒的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133985B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104843.X，技术领域涉及：C01B33/03；该发明授权制造多晶硅颗粒的方法是由M·戈坦卡;H·赫特莱因;B·克宁格设计研发完成，并于2020-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造多晶硅颗粒的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种在流化床反应器中制造多晶硅颗粒的方法，其中在流化床反应器中，连续供应的晶种粒子在流化床中借助气流被流化，其中所述流化床区域用加热装置加热，其中通过供应包含氢气和硅烷和或卤代硅烷的进料气流，使元素硅沉积在所述晶种粒子上以形成多晶硅颗粒，且其中在连续过程中，所述硅颗粒作为产物流从所述流化床反应器中排出，其中作为响应变量，流化床温度TWS通过平衡范围I和或平衡范围II的质量和能量平衡确定为来自所述流化床区域的废气流式I的温度TAbgas,WS，其中所述平衡范围I由以下组成：供应气流式III的焓式II，进入所述流化床区域的晶种粒子流式V的焓式IV，所述产物流式VII的焓式VI，来自所述流化床的所述废气质量流式IX的焓式VIII，反应焓ΔRH23，所述加热装置的热输出Q20，从所述反应流化床区域中的所述反应器移除的能量Q24；且平衡范围I的废气流的焓式VIII由方程式IX给出。平衡范围II由以下部分组成：进入所述流化床区域中的所述晶种粒子流式V的焓式IV，进入所述反应器的所述晶种粒子流式XI的焓式X，来自所述流化床区域的所述废气质量流式I的焓式VIII，来自所述反应器的废气流式XIII的焓式XIII，从所述流化床上方区域中的所述反应器移除的能量Q25，且所述平衡范围II的所述废气流的焓式VIII由方程式XIV给出。所述流化床的温度TWS由方程式XV给出，其中式I＝废气质量流量，cp,22＝所述废气流的热容量，其中根据响应变量TWS，至少热输出Q20作为操纵变量被控制，使得在流化床中每千克硅的Q20在0.5至3kW的范围内。

本发明授权制造多晶硅颗粒的方法在权利要求书中公布了：1.在流化床反应器中制造多晶硅颗粒的方法，其中在流化床区域中，连续供应的晶种粒子在流化床中借助气流被流化，其中所述流化床区域用加热装置加热，其中供应包含氢气和硅烷和或卤代硅烷的进料气流导致元素硅沉积在所述晶种粒子上以形成多晶硅颗粒，且其中在连续过程中，所述硅颗粒作为产物流从所述流化床反应器中排出，其中作为响应变量，流化床温度TWS通过平衡范围I和或平衡范围II的质量和能量平衡确定为来自所述流化床区域的废气流的温度Toffgas,WS，其中所述平衡范围I由以下组成： -所述进料气流的焓 -进入所述流化床区域的晶种粒子流的焓 -所述产物流的焓 -来自所述流化床的所述废气质量流的焓 -反应焓ΔRH23， -所述加热装置的热输出Q20， -从所述流化床区域中的所述反应器移除的能量Q24； 且平衡范围I的废气流的焓由方程10给出 且其中，平衡空间II由以下部分组成： -进入所述流化床区域中的所述晶种粒子流的焓 -进入所述反应器的所述晶种粒子流的焓 -来自所述流化床区域的所述废气质量流的焓 -来自所述反应器的废气流的焓 -从所述流化床上方区域中的所述反应器移除的能量Q25， 且所述平衡范围II的所述废气流的焓由方程11给出 其中所述流化床的温度TWS由方程12给出 cp,22＝所述废气流的热容量， 并且其中响应变量TWS在700℃至1200℃的范围内，并且根据TWS，至少热输出Q20作为操纵变量被控制，使得在流化床中每千克硅的Q20在0.5至3kW的范围内。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瓦克化学股份公司，其通讯地址为：德国慕尼黑；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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