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龙图腾网获悉思特威(深圳)电子科技有限公司申请的专利一种像素阵列及其控制方法、图像传感器、图像采集装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116095445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111290121.0，技术领域涉及：H04N23/54；该发明授权一种像素阵列及其控制方法、图像传感器、图像采集装置是由郭同辉设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种像素阵列及其控制方法、图像传感器、图像采集装置在说明书摘要公布了：本申请属于传感器技术领域，提供了一种像素阵列、图像传感器及图像采集装置，像素阵列包括多个像素，每个像素包括用于进行光信号转化为电荷信号的感光区域，设置在感光区域之间的电荷隔离区域，设置在感光区域的边沿区域的电荷吸收区域，电荷吸收区域的表面连接电压源，当电压源接通时，电荷吸收区域可吸收感光区域扩散到像素边缘的光电电荷，减少像素由于光电电荷的溢出造成邻近的像素吸收过饱和光电电荷而产生的图像边缘粉色边或紫色边问题，有效提升了图像传感器所采集的图像品质。

本发明授权一种像素阵列及其控制方法、图像传感器、图像采集装置在权利要求书中公布了：1.一种像素阵列，其特征在于，包括多个像素，每个所述像素包括用于将光信号转换为电荷信号的感光区域； 相邻的感光区域之间设有电荷隔离区域，用于防止相邻像素之间的信号干扰； 至少一个所述感光区域的边沿区域设置有电荷吸收区域，用于吸收所述感光区域溢出的电荷； 其中，所述电荷吸收区域延伸至所述电荷隔离区域内，以至少在所述电荷隔离区域中形成电子传输通道，所述感光区域溢出的电荷至少经由所述电子传输通道传输至所述电荷吸收区域，所述电荷吸收区域和感光区域之间存在一定厚度的所述电荷隔离区域； 所述电荷隔离区域为离子掺杂隔离区，所述电荷吸收区域和所述电荷隔离区域具有不同的离子掺杂类型； 所述电荷隔离区域为P型离子区，所述电荷吸收区域为N型离子区，且所述N型离子区与正极电压源电连接；或者，所述电荷隔离区域为N型离子区，所述电荷吸收区域为P型离子区，且所述P型离子区与负极电压源电连接；所述N型离子区和所述P型离子区之间通过掺杂方式结合形成PN结，PN结的界面附近存在空间电荷区，所述电荷吸收区域外接电源后，所述电荷吸收区域吸收所述感光区域的过饱和光电电荷。

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