美光科技公司徐邦宁获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031114.3，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法是由徐邦宁;K·K·柯比设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法在说明书摘要公布了：本申请涉及用于在半导体裸片管芯制造中直接接合的系统和方法。公开了一种用于接合半导体裸片、所得半导体装置的方法以及相关联的系统和方法。在一些实施例中，所述方法包含在第一半导体裸片上沉积第一材料。所述第一材料具有第一外表面和所述第一外表面处的第一化学组成。所述方法还包含在第二半导体裸片上沉积第二材料。所述第二材料具有第二外表面和所述第二外表面处的与所述第一化学组成不同的第二化学组成。所述方法还包含堆叠所述裸片。所述第二半导体裸片的所述第二外表面与堆叠中的所述第一半导体裸片的所述第一外表面接触。所述方法还包含使所述第一外表面与所述第二外表面反应。所述反应使所述第一外表面接合到所述第二外表面。
本发明授权用于半导体裸片制造中的直接接合的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于接合半导体裸片的方法，所述方法包括： 在第一半导体裸片上沉积第一介电质，其中所述第一介电质包含在所述第一介电质的第一表面处呈第一分子比的第一材料和第二材料； 在第二半导体裸片上沉积第二介电质，其中所述第二介电质包含在所述第二介电质的第二表面处呈不同于所述第一分子比的第二分子比的所述第一材料和所述第二材料； 堆叠所述第二半导体裸片和所述第一半导体裸片，其中所述第一表面与所述第二表面接触；以及 通过将所述第二材料从所述第二介电质扩散到所述第一介电质而将所述第一表面与所述第二表面接合。
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