美光科技公司A·比克斯勒获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利包含栅极泄漏晶体管的存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115731965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210991427.7，技术领域涉及：G11C5/02；该发明授权包含栅极泄漏晶体管的存储器装置是由A·比克斯勒;M·奥莱谢设计研发完成，并于2022-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本包含栅极泄漏晶体管的存储器装置在说明书摘要公布了：本公开涉及包含栅极泄漏晶体管的存储器装置。一种存储器装置包含串联连接的存储器单元串、数据线、第一选择晶体管、共同源极、第二选择晶体管和栅极泄漏晶体管。所述串联连接的存储器单元串包含竖直沟道区。所述串联连接的存储器单元串中的每个存储器单元包含第一栅极堆叠结构。所述数据线连接到所述竖直沟道区。所述第一选择晶体管连接在所述数据线与所述串联连接的存储器单元串之间。所述第二选择晶体管连接在所述共同源极与所述串联连接的存储器单元串之间。所述栅极泄漏晶体管连接在所述第一选择晶体管与所述第二选择晶体管之间。所述栅极泄漏晶体管包含与所述第一栅极堆叠结构不同的第二栅极堆叠结构。
本发明授权包含栅极泄漏晶体管的存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 串联连接的存储器单元串，其包括竖直沟道区，所述串联连接的存储器单元串中的每个存储器单元包括第一栅极堆叠结构； 数据线，其连接到所述竖直沟道区； 第一选择晶体管，其连接在所述数据线与所述串联连接的存储器单元串之间； 共同源极； 第二选择晶体管，其连接在所述共同源极与所述串联连接的存储器单元串之间；以及 栅极泄漏晶体管，其连接在所述第一选择晶体管与所述第二选择晶体管之间，所述栅极泄漏晶体管包括与所述第一栅极堆叠结构不同的第二栅极堆叠结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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