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龙图腾网获悉北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院)申请的专利一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115693351B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211272606.1，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用是由张晓强;姜芸青;许涌;张悦;赵巍胜设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用，具体涉及自旋太赫兹发射设备领域，太赫兹发射器包括玻璃衬底、自旋太赫兹薄膜、金属光栅、磁铁对，所述自旋太赫兹薄膜设置在玻璃衬底的背面，所述金属光栅设置在玻璃衬底的正面。本发明的单向高效自旋太赫兹发射器，通过利用特殊设计的金属光栅，使得透过该金属光栅的飞秒泵浦光透过率较高，同时能够高效反射自旋太赫兹薄膜产生的背向太赫兹波，从而控制太赫兹的发射方向、提升自旋太赫兹波的产生效率。

本发明授权一种单向高效自旋太赫兹发射器及应用在权利要求书中公布了：1.一种利用单向高效自旋太赫兹发射器产生自旋太赫兹波的方法，其特征在于，所述单向高效自旋太赫兹发射器包括：玻璃衬底101、自旋太赫兹薄膜102、金属光栅103、磁铁对104，所述自旋太赫兹薄膜102设置在玻璃衬底101的背面，所述金属光栅103设置在玻璃衬底101的正面，所述磁铁对104分布在玻璃衬底101的两侧；所述金属光栅103金属层由周期性分布的金属条1031组成； 所述方法包括以下步骤： S1：自旋太赫兹薄膜102通过磁控溅射方法制备在玻璃衬底101的背面；玻璃衬底101的正面通过光刻技术制备金属光栅103； S2：利用磁铁对104对自旋太赫兹薄膜102的磁化，并基于磁性层同非磁性层间的逆霍尔效应，当飞秒激光照射到自旋太赫兹薄膜102上时自旋太赫兹薄膜102将产生太赫兹辐射，产生太赫兹波偏振方向垂直于磁场方向； S3：该单向高效自旋太赫兹发射器的泵浦光从玻璃衬底101正面的金属光栅103泵浦，透过金属光栅103的泵浦光束通过玻璃衬底101后照射到自旋太赫兹薄膜102上，其产生的太赫兹波存在沿泵浦光方向的前向发射和反向于泵浦光方向的背向发射；当背向发射的太赫兹波到达金属光栅103时，由于其偏振方向平行于金属光栅103，太赫兹波将被金属光栅103反射，变为正向发射，并同正向发射的太赫兹波进行叠加，实现特定波段太赫兹波的干涉相长，提升太赫兹波的产生效率。

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