厦门大学陈锦辉获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利多模解复用光谱仪的光电器件及光谱重建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115683335B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211331416.2，技术领域涉及：G01J3/28；该发明授权多模解复用光谱仪的光电器件及光谱重建方法是由陈锦辉;郑泽寰;朱圣科;陈焕阳;陈颖设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本多模解复用光谱仪的光电器件及光谱重建方法在说明书摘要公布了：多模解复用光谱仪的光电器件及光谱重建方法，涉及模分解复用光谱学。光电器件由多个光电探测器级联构成，每个光电探测器包括SOI衬底、氧化硅层、带两侧分支的多模波导、二维材料吸收体和金属电极。光谱重建方法包括单模光谱重建方法、单样本多模重建算法和多样本分辨率增强重建方法。不同的光谱信息被调制在不同的波导模式上，再输入多模解复用光谱仪，每个光电探测器上产生光电流，运用光谱重建方法，实现在单样本下的单模光谱重建、一次性多模混合光谱重建、在多样本下的分辨率增强光谱重建。多模解复用光谱仪能同时实现模式解复用功能和光谱探测能力，大大降低波分‑模分混合复用系统的复杂度。
本发明授权多模解复用光谱仪的光电器件及光谱重建方法在权利要求书中公布了：1.多模解复用光谱仪的光电器件，其特征在于由多个光电探测器U1至Um级联构成； 所述光电探测器采用SOI工艺制备，自下而上包括SOI衬底、氧化硅层、带两侧分支的多模波导、二维材料吸收体和金属电极： 所述SOI衬底，包括硅衬底以及设置于所述硅衬底上的埋氧层； 所述氧化硅层，位于所述SOI衬底之上； 所述带两侧分支的多模波导，位于所述SOI衬底之上，掩埋于所述氧化硅层内部；所述带两侧分支的多模波导由一根主干多模波导和若干数量的分布在两侧的分支波导组成； 所述二维材料吸收体，位于所述氧化硅层之上； 所述金属电极，位于所述二维材料吸收体之上； 所述多模解复用光谱仪的光电器件的光信号传输顺序为从光电探测器U1至Um，输入端在光电探测器U1侧，输出端在光电探测器Um侧；光电流信号则在每个光电探测器上产生并测量，经过电流放大器和模数转换器后传输至上位机。
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