长鑫存储技术有限公司吴玉雷获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利连接垫的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588609B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110758234.2，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权连接垫的形成方法及半导体结构是由吴玉雷设计研发完成，并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本连接垫的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种连接垫的形成方法，其中，形成方法包含：提供一衬底；在衬底表面依次形成导电层、第一图案定义层和第二图案定义层；在第二图案定义层上依次形成互为120°交叉的三组图案，三组图案的交叉部分于第二图案定义层形成六边形的图案定义结构；将图案定义结构向下转移，刻蚀去除部分第一图案定义层，剩余的第一图案定义层形成柱状结构，在刻蚀负载效应的作用下，柱状结构底部呈圆形；以剩余的第一图案定义层为掩膜刻蚀导电层，剩余的导电层形成圆形的连接垫。通过上述设计，本发明能够保证连接垫呈圆形，使得连接垫在电容图案化过程中具有更大的边界窗口，避免造成击穿而导致电容漏电的问题。
本发明授权连接垫的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种连接垫的形成方法，其特征在于，包含： 提供一衬底； 在所述衬底表面依次形成导电层、第一图案定义层和第二图案定义层； 在所述第二图案定义层上依次形成互为120°交叉的第一组图案、第二组图案和三组图案，上述三组图案的交叉部分于所述第二图案定义层形成六边形的图案定义结构； 将所述图案定义结构向下转移，刻蚀去除部分所述第一图案定义层，剩余的所述第一图案定义层形成柱状结构，在刻蚀负载效应的作用下，所述柱状结构底部呈圆形； 以剩余的所述第一图案定义层为掩膜刻蚀所述导电层，剩余的所述导电层形成圆形的连接垫。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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