南亚科技股份有限公司薛宇涵获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利具有水平配置电容器的半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115579353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210288089.0，技术领域涉及：H10D1/60；该发明授权具有水平配置电容器的半导体元件及其制备方法是由薛宇涵设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有水平配置电容器的半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一第一手掌部，设置在一基底上；一第二手掌部，设置在该基底上且位在该第一手掌部的相反处；一第一手指部，大致与该基底的一主表面平行设置，且位在该第一手掌部与该第二手掌部之间，并连接到该第一手掌部；一第二手指部，大致与该第一手指部平行设置，且位在该第一手掌部与该第二手掌部，并连接到该第二手掌部；一电容器隔离层，设置在该第一手指部与该第二手指部之间；一第一间隙子，设置在该第一手掌部与该第二手指部之间；以及一第二间隙子，设置在该第二手掌部与该第一手指部之间。
本发明授权具有水平配置电容器的半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件的制备方法，包括： 提供一基底； 依序形成一第一导电层、一隔离层以及一第二导电层以在该基底上配置成一堆叠； 图案化该堆叠以形成一第一凹陷并暴露在该基底中的一杂质区； 形成一第一间隙子以覆盖该第一导电层的一侧壁； 形成一第一手掌部在该第一凹陷中并连接到该第二导电层； 图案化该堆叠以形成一第三凹陷，将该第二导电层转变成一第一手指部，并将该第一导电层转变成一第二手指部，其中该第三凹陷形成在该第一手掌部的相反处； 形成一第二间隙子以覆盖该第一手指部的一侧壁，其中该第二间隙子形成在该第一手掌部的相反处；以及 形成一第二手掌部在该第三凹陷中并连接到该第二手指部。
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