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龙图腾网获悉山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种微型数码显示发光二极管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110743015.7，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种微型数码显示发光二极管的制备方法是由吴向龙;徐晓强;闫宝华;王成新设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微型数码显示发光二极管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种微型数码显示发光二极管的制备方法。本发明方法包括步骤：在LED外延片表面的欧姆接触层上将显示图形以外以及内部区域刻蚀形成发光图形；在显示图形以外区域，将暴露的欧姆接触层的部分刻蚀至衬底；在得到的器件上表面制备第一绝缘层；在第一绝缘层上制作第一电极，第一电极与发光图形相接触；在所得器件的上表面蒸镀第二绝缘层；在第二绝缘层上制作第二电极N电极；第二电极N电极通过导线和第一电极相连；然后制作第二电极P电极，使其与衬底上的欧姆接触层相接触；最后经衬底减薄、切割即得。本发明方法可以将所需图形集成到毫米甚至微米级的发光二极管上，而且不需要对每一段进行固晶、打线作业，因此成本低、良率高。

本发明授权一种微型数码显示发光二极管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微型数码显示发光二极管的制备方法，包括步骤： 1在LED外延片表面的欧姆接触层上将显示图形以外以及内部区域刻蚀形成发光图形；当LED外延片为AlGaInP红光或黄光外延片时，将显示图形以外以及内部区域先刻蚀至N-AlInP限制层，然后将显示图形以外区域的部分刻蚀至衬底上的欧姆接触层；当LED外延片为GaN蓝光或绿光外延片时，需要先在LED外延片外延层的表面蒸镀欧姆接触层，然后直接将显示图形以外以及内部区域刻蚀至衬底上的欧姆接触层； 2在显示图形以外区域，将暴露的欧姆接触层的部分刻蚀至衬底； 3在步骤2得到的器件上表面制备第一绝缘层； 4在第一绝缘层上制作第一电极，第一电极与发光图形相接触； 5在步骤4所得器件的上表面蒸镀第二绝缘层； 6在第二绝缘层上制作第二电极N电极；第二电极N电极通过导线和第一电极相连；然后制作第二电极P电极，使其与衬底上的欧姆接触层相接触； 7将衬底减薄； 8切割得到微型数码显示发光二极管。

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