山东华光光电子股份有限公司孙春明获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115528539B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110713105.1,技术领域涉及:H01S5/183;该发明授权一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器及其制备方法是由孙春明;吴凯;苏建;夏伟;徐现刚设计研发完成,并于2021-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器及其制备方法。所述的方法通过在两个脊型条之间制备一个深度完全穿过外延层的深沟槽结构实现两个脊型条发光点之间的完全电隔离和光隔离,通过深沟槽结构的电隔离和光隔离,可以将两个脊型条的间距做到很小,只有10~15μm;同时在脊型条两侧制备多列空气柱结构,增大器件的慢轴方向上的衍射效应,进而有效增大器件的慢轴发散角,使得快慢轴发散角差减小,进而有效改善了器件在通过光学整形元件后因快慢轴发散角差异大导致的景深较小的问题。同时,在两个脊型条上分别设置电极,实现了两个脊型条发光的独立调控。
本发明授权一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种激光打印机用大景深、窄间距双光束基横模半导体激光器,其特征在于,由下至上依次包括:N面电极、衬底层、N型限制层、N型波导层、发光有源层、P型波导层、P型限制层;P型限制层包括本体层和双脊型条,脊型条设置在本体层上表面,脊型条上表面设置有欧姆接触层;两脊型条之间设置深沟槽结构,沟槽底面下陷至衬底层,深沟槽结构的内表面设置绝缘层;在每个脊型条两侧设置柱状孔结构,柱状孔结构的底面下陷至P型波导层;P型限制层本体层上表面以及柱状孔结构上面由下至上依次设置绝缘层和P面电极,脊型条侧表面以及欧姆接触层上面设置P面电极; 两脊型条之间的间距为10~15μm;两脊型条中间位置设置深沟槽结构,深沟槽结构的长度与脊型条长度相同,深沟槽结构的最大宽度为2~4μm;深沟槽结构的深度为3~4μm;所述的柱状孔结构是以圆面为底面竖直设置;柱状孔结构的直径为1~1.5μm,柱状孔结构的高度为1000~1500nm,柱状孔结构在P型波导层中的深度为100-300nm;柱状孔结构沿脊型条长度方向在脊型条两侧设置2-4列,两相邻柱状孔结构圆心之间的最短距离为1-4μm。
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