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龙图腾网获悉华映科技(集团)股份有限公司申请的专利一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115377124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082932.6，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法是由陈宇怀设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法，包括在基板上设置有两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层之上设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层之上设置有第二金属层，所述第二金属层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层之上设置有有源层，所述有源层上设有第三金属层，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层和或第二金属层电连接，所述第三金属层上设有第三绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同。本发明针对TFT在所处电路中工作状态的不同进行结构差异化设计，使得各枚TFT在长时间的工作状态下仍能维持Vth的一致性，避免电路失效。

本发明授权一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种差异化金属氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：包括在基板上设置有两种不同结构的背沟道金属氧化物TFT，分别为第一金属氧化物TFT和第二金属氧化物TFT； 所述基板上设有第一金属层，所述第一金属层包括第一栅极和驱动信号线； 所述第一金属层之上设置有第一绝缘层； 所述第一绝缘层之上设置有第二金属层，所述第二金属层包括第二栅极；所述第二金属层材质同或不同第一金属层； 所述第二金属层之上设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层之上设置有有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层对应第一栅极，所述第二有源层对应第二栅极；所述第一绝缘层和或第二绝缘层上还开设有第一通孔，露出所述第一金属层和或第二金属层的表面； 所述有源层上设有第三金属层，所述第三金属层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极、与所述第二有源层电连接的第二源极和第二漏极、及数据信号线；其中，所述第三金属层通过所述第一通孔和所述第一金属层和或第二金属层电连接； 所述第三金属层上设有第三绝缘层； 其中，所述第一栅极对应的膜层结构为所述第一金属氧化物TFT； 所述第二栅极对应的膜层结构为所述第二金属氧化物TFT； 所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度不同； 所述第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为100Å~6000Å； 所述第一绝缘层和第二绝缘层的材质采用单层的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛或氧化铝，或两种以上的上述材质组成的多层结构；所述第一绝缘层和第二绝缘层的材质和结构可相同或不同。

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