广州集成电路技术研究院有限公司蔡尚元获国家专利权
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龙图腾网获悉广州集成电路技术研究院有限公司申请的专利半导体器件的制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110408086.1，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件是由蔡尚元;林盈志;罗威扬设计研发完成，并于2021-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件的制作方法和半导体器件，所述制作方法包括：提供一器件中间体，所述器件中间体包括：衬底、形成在所述衬底中的有源结构、形成在衬底上方的栅极结构以及形成在相邻两个栅极结构之间的第一介质层；其中，所述栅极结构包括伪栅极和抵接所述伪栅极两侧的栅极侧墙，所述栅极侧墙包括：伪侧墙和抵接所述伪侧墙两侧的预设第一侧墙，所述伪侧墙的上表面高于所述预设第一侧墙的上表面；移除所述伪侧墙，以形成第一开口并暴露预设第一侧墙的内壁；在所述预设第一侧墙和所述第一开口上方形成侧墙盖帽，以覆盖所述第一开口形成空气间隔层，其中所述侧墙盖帽、所述伪栅极和所述第一介质层三者的上表面在同一水平面。
本发明授权半导体器件的制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一器件中间体，所述器件中间体包括：衬底、形成在所述衬底中的有源结构、形成在衬底上方的栅极结构以及形成在相邻两个栅极结构之间的第一介质层； 其中，所述栅极结构包括伪栅极和抵接所述伪栅极两侧的栅极侧墙，所述栅极侧墙包括：伪侧墙和抵接所述伪侧墙两侧的预设第一侧墙，所述伪侧墙的上表面高于所述预设第一侧墙的上表面； 移除所述伪侧墙，以形成第一开口并暴露预设第一侧墙的内壁；所述预设第一侧墙的顶面低于所述伪栅极的顶面，并在所述伪栅极和所述第一介质层之间，以及所述预设第一侧墙的上方形成对应的空间，所述空间用于在沉积阻挡层时，容纳所述阻挡层； 在所述预设第一侧墙和所述第一开口上方形成侧墙盖帽，以覆盖所述第一开口形成空气间隔层；所述侧墙盖帽的材料为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
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