晶澳太阳能有限公司黄旭光获国家专利权
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龙图腾网获悉晶澳太阳能有限公司申请的专利硅片及其制备方法、太阳能电池、光伏组件和电站获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210801272.6，技术领域涉及：H10P54/00；该发明授权硅片及其制备方法、太阳能电池、光伏组件和电站是由黄旭光;刘世龙;李德建设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片及其制备方法、太阳能电池、光伏组件和电站在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅片及其制备方法、太阳能电池、光伏组件和电站。硅片用于制备太阳能电池，其是通过切割圆形硅棒得到的四边形结构，包括：四边形结构中至少三个角来自于圆形硅棒的横截面上的内部区域，其中，横截面上的内部区域为横截面上电阻率低于设定阈值的区域，设定阈值由圆形硅棒的电阻率陡增的区域的电阻率确定出；硅片的电阻率沿四边形结构中的一组特定对角呈递减分布。该硅片结构的设计在减小高电阻率区域的占比的同时，电阻率分布比较均匀。
本发明授权硅片及其制备方法、太阳能电池、光伏组件和电站在权利要求书中公布了：1.一种硅片10，其特征在于，所述硅片10用于制备太阳能电池20，其是通过切割圆形硅棒得到的四边形结构，所述四边形结构是指两组对边分别平行的四边形，包括： 所述四边形结构中至少三个角来自于所述圆形硅棒的横截面上的内部区域，其中，所述横截面上的内部区域为所述横截面上电阻率低于设定阈值的区域，所述设定阈值由所述圆形硅棒的电阻率陡增的区域的电阻率确定出； 所述硅片10的电阻率沿所述四边形结构中的一组特定对角呈递减分布；所述硅片的四边形结构中剩余的一个角对应于圆形硅棒的内部区域以外的电阻率陡增区域，其中，对应于圆形硅棒的内部区域以外的电阻率陡增区域的角和其对角组成一组特定对角。
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