乐金显示有限公司金昇镇获国家专利权
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龙图腾网获悉乐金显示有限公司申请的专利薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975635B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210470554.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置是由金昇镇;李禧成;李昭珩;金敏澈;梁晸硕;朴志皓;任曙延设计研发完成，并于2018-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置在说明书摘要公布了：公开了一种能够应用于要求高速驱动的高分辨率平板显示装置的包括氧化物半导体层的薄膜晶体管TFT、包括该TFT的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置。TFT包括由氧化铟镓锌锡IGZTO组成的第一氧化物半导体层和具有氧化铟镓锌IGZO的第二氧化物半导体层。第二氧化物半导体层的镓Ga对铟In的含量比GaIn高于第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比GaIn，并且第二氧化物半导体层的锌Zn对In的含量比ZnIn高于第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比ZnIn。
本发明授权薄膜晶体管、包括其的栅极驱动器、以及包括该栅极驱动器的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管TFT，包括： 包含铟In、镓Ga、锌Zn、锡Sn和氧O的第一氧化物半导体层； 包含铟In、镓Ga、锌Zn和氧O的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层设置在所述第一氧化物半导体层上；和 栅极电极，所述栅极电极设置在所述第一氧化物半导体层下方， 其中， 所述第二氧化物半导体层的Ga对In的含量比GaIn高于所述第一氧化物半导体层的Ga对In的含量比GaIn，并且 所述第二氧化物半导体层的Zn对In的含量比ZnIn高于所述第一氧化物半导体层的Zn对In的含量比ZnIn。
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