高通股份有限公司X·李获国家专利权
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龙图腾网获悉高通股份有限公司申请的专利对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210586369.X，技术领域涉及：H10B20/25；该发明授权对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法是由X·李;X·陆;X·陈;Z·王设计研发完成，并于2016-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法在说明书摘要公布了：根据本公开的一些示例的一种用于一次性可编程OTP存储器的半导体器件包括栅极、在该栅极下方的介电区、在该介电区下方且向一侧偏移的源极端子、在该介电区下方且向与该源极端子的相对侧偏移的漏极端子、该介电区中能够对该半导体器件进行编程的漏极侧电荷陷阱、以及该介电区中与该漏极侧电荷陷阱相对且能够对该半导体器件进行编程的源极侧电荷陷阱。
本发明授权对一次性可编程存储器电路进行编程的系统、装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于一次性可编程OTP存储器的半导体器件，包括： 栅极； 在所述栅极垂直下方的介电区； 在所述栅极和所述介电区垂直下方且向第一侧水平偏移的源极端子； 在所述栅极和所述介电区垂直下方且向与所述第一侧相对的第二侧水平偏移的漏极端子； 由所述介电区包围的向所述漏极端子水平偏移的漏极侧Vt编程区，所述漏极侧Vt编程区由诸层材料构成，其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述漏极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱；以及 由所述介电区包围的与所述漏极侧Vt编程区水平相对并且向所述源极端子偏移的源极侧Vt编程区，所述源极侧Vt编程区由诸层材料构成，其中在对所述半导体器件进行编程期间响应于由向所述源极侧Vt编程区施加的编程电压创建的电场应力而在该诸层材料中产生陷阱，并且 其中所述漏极侧Vt编程区和所述源极侧Vt编程区是电荷陷阱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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