格芯新加坡私人有限公司黎佳俊获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯新加坡私人有限公司申请的专利半导体存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111419999.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权半导体存储器器件是由黎佳俊;卓荣发;陈学深设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器器件在说明书摘要公布了：本文的实施例涉及半导体存储器器件及其形成方法。提供了一种半导体存储器器件。该半导体存储器器件包括具有第一电极、第二电极、切换层和过孔结构的存储器基元。第二电极邻近第一电极的一侧，并且切换层覆盖第一电极和第二电极的最上表面。过孔结构位于第二电极的最上表面上方。
本发明授权半导体存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器器件，包括： 第一电极； 第二电极，其邻近所述第一电极； 位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一绝缘元件； 切换层，其覆盖所述第一电极和所述第二电极的最上表面，其中所述切换层、所述第一电极和所述第二电极形成所述存储器器件的存储器基元；以及 过孔结构，其位于所述第二电极的所述最上表面上方， 其中，当通过在所述第一电极和所述第二电极之间施加电势差而被形成时，一根或多根导电丝被限制在所述切换层和所述第一绝缘元件之间的界面处。
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