南亚科技股份有限公司杨宬苓获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914214B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110986889.5，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体元件及其制造方法是由杨宬苓设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制造方法在说明书摘要公布了：一种半导体元件及其制造方法。该半导体元件包含一鳍片；一栅极结构，设于该鳍片上；一掺杂区，设于该鳍片的一侧；一接触件，设于该掺杂区上；以及一导电覆盖层，设于该接触件上，其中该导电覆盖层包含锗化铜。
本发明授权半导体元件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包含： 一鳍片； 一栅极结构，设于该鳍片上； 一掺杂区，设于该鳍片的一侧； 一接触件，设于该掺杂区上； 一顶部导电层，设于该接触件上； 一阻障层，位于该接触件和该栅极结构之间以及位于该接触件和该掺杂区之间；及 一第一介电层和一阻障间隙壁，其中该第一介电层位于该栅极结构上，该接触件和该阻障层沿该第一介电层设置，并且突出于该第一介电层的顶表面，及该阻障间隙壁设于该阻障层的一侧面和该第一介电层的顶表面上； 其中该顶部导电层包含硅化钛，硅化镍，硅化镍铂，硅化钽或硅化钴。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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