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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114898792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210390722.7，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法是由尹勋钊;刘哲恺;陈豪邦;卓成设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法在说明书摘要公布了：多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法，包括N个并联的1FeFET1R结构、输入晶体管、第一反相器和第二反相器，N为大于1的自然数，所述1FeFET1R结构包括电连接的FeFET和电阻，每个1FeFET1R结构的电阻均与输入晶体管电连接，所述输入晶体管的栅极通过第一反相器与其中一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接，该1FeFET1R结构中FeFET的栅极通过第二反相器与另一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接。本发明首次提出基于非易失存储器件且同时支持多比特存内内积暨异或的单元及其向量，在搜索能耗、搜索延时以及面积三大指标上均表现更优。

本发明授权多比特存内内积暨异或单元、异或向量及操作方法在权利要求书中公布了：1.一种多比特存内内积暨异或向量单元的操作方法，其特征在于，所述多比特存内内积暨异或向量单元包括M个多比特存内内积暨异或单元，该M个多比特存内内积暨异或单元并联，多比特存内内积暨异或单元包括N个并联的1FeFET1R结构、输入晶体管、第一反相器和第二反相器，N为大于1的自然数，所述1FeFET1R结构包括电连接的FeFET和电阻，每个1FeFET1R结构的电阻均与输入晶体管电连接，所述输入晶体管的栅极通过第一反相器与其中一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接，该1FeFET1R结构中FeFET的栅极通过第二反相器与另一个1FeFET1R结构中FeFET的栅极电连接；每个1FeFET1R结构中电阻的阻值不同，形成一连串输出电流为一系列二进制2N-1,2N-2,...,21,20存储单元；所述1FeFET1R结构中电阻与FeFET的漏极或源极电连接；所述输入晶体管工作于线性区，其将向量元素之权重映射为电压并输入于对应FeFET的栅极；所述第一反相器用于输入向量元素的互补值；所述第二反相器用于两对应FeFET存入互补值； 操作方法包括： S1存储向量的每个向量元素先存入多比特存内内积暨异或单元，具体存入方法为：存入向量的每个向量元素为二进制，根据欲输入的向量元素二进制值，如果为‘1’，在对应的FeFET栅极输入高电压，使FeFET存入‘1’；如果为‘0’，则在对应的FeFET栅极输入低电压，使FeFET存入‘0’，同时，于另一异或1FeFET1R结构通过第二反相器存入，w0为多比特存内内积暨异或单元的低位，表示20； S2存入向量的向量元素存入多比特存内内积暨异或单元后，当查询向量来临时，同时进行以下操作： S2.1查询向量的向量元素以电压的形式施加于多比特存内内积暨异或单元中的输入晶体管的栅极；同时，查询向量的向量元素通过第一反相器对应1FeFET1R结构； S2.2对于实现多比特内积功能，每个FeFET的栅极同时输入高电压，利用FeFET本身即可实现“与”的特点，当存储值为‘0’时，输出为‘0’；当存储值为‘1’时，输出为‘1’； S2.3对于实现多比特功能，两个反相器处于关断状态；对于实现异或功能，两个反相器接上电源，处于工作状态，且前N-1个FeFET的栅极同时输入低电压，即存入‘0’。

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