艾维森纳科技有限公司B·佩泽什基获国家专利权
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龙图腾网获悉艾维森纳科技有限公司申请的专利用于数据通信的高速及多触点发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114846630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080088740.9，技术领域涉及：H04B10/116；该发明授权用于数据通信的高速及多触点发光二极管是由B·佩泽什基;R·卡尔曼;A·采利科夫设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于数据通信的高速及多触点发光二极管在说明书摘要公布了：LED可具有针对所述LED的操作速度而优化的结构。所述LED可为微LED。所述LED可具有拥有一或多个量子阱的p掺杂区而不是本征区。所述LED可具有穿过其的蚀刻通孔。
本发明授权用于数据通信的高速及多触点发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种用于将由处理器提供的信息传送到所述处理器的另一区域或多芯片模块中的另一芯片的光学通信系统，其包括： LED，其与所述处理器相关联； LED驱动器，其用于调制所述LED的光学输出功率，使得所述LED将基于从所述处理器提供给所述LED驱动器的数据产生光； 检测器，其用于使用所述光执行光电转换；及 光学波导，其将来自所述LED的光光学耦合到所述检测器； 其中所述LED包括： p型GaN层； n型GaN层；及 中间区，其介于所述p型GaN层和所述n型GaN层之间，所述中间区是P-掺杂，所述中间区包含量子阱，所述中间区的所述量子阱定位成与所述n型GaN层相比在物理上更靠近所述p型GaN层。
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