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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利阴面相位梯度超表面结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114824810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210315126.2，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权阴面相位梯度超表面结构是由王宜颖;吴先喜;于新华;潘旺华;莫锦军;孙逢圆;姜彦南设计研发完成，并于2022-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本阴面相位梯度超表面结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阴面相位梯度超表面结构，包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部。根据巴比涅原理，阴面相位梯度超表面单元结构与常规相位梯度超表面单元结构互补，将原本非金属部分填充为金属，利用缝隙辐射的原理引入相位梯度超表面，可以对辐射的电磁波进行调控。所述阴面相位梯度超表面单元结构由不同尺寸的单元组成，结果表明阴面相位梯度超表面具有传统相位梯度超表面相似的特征，即在阻抗带宽范围内方向图随着频率的变化而具有扫描特性，若合理组成阵列可提高缝隙单元辐射的方向性。

本发明授权阴面相位梯度超表面结构在权利要求书中公布了：1.一种阴面相位梯度超表面结构，其特征在于， 包括馈电结构和阴面相位梯度超表面单元结构，所述阴面相位梯度超表面单元结构嵌入所述馈电结构的顶部； 所述阴面相位梯度超表面单元结构包括第一阴面单元、第二阴面单元和第三阴面单元，所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴面单元依次嵌入所述馈电结构的顶部，且所述第一阴面单元、所述第二阴面单元、所述第三阴面单元均位于所述馈电结构的顶部宽边的中轴线上； 所述馈电结构包括SMA连接器和波导，所述波导的材料为金属，所述波导内部具有容纳腔，所述波导和所述容纳腔均为长方体，所述SMA连接器的一端嵌入所述波导的底部，所述SMA连接器的馈电探针的一端贯穿所述波导的底部，位于所述容纳腔的内部； 所述第一阴面单元的厚度、所述第二阴面单元的厚度、所述第三阴面的单元的厚度均与所述波导顶部至所述容纳腔内顶壁的距离相同；所述第一阴面单元的形状、所述第二阴面单元形状、所述第三阴面单元形状均为“I”型结构，三者的外半径均为6mm，内半径均为4.5mm；所述波导内部的空气作为所述阴面相位梯度超表面的介质，所述容纳腔的内底壁作为所述阴面相位梯度超表面的金属地面。

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